電子與封裝雜志簡介
《電子與封裝》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn),自2002年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號(hào)為32-1709/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn),受到越來越多的讀者喜愛。
《電子與封裝》以發(fā)展我國微電子產(chǎn)業(yè)為己任,是國內(nèi)目前唯一一本以封裝技術(shù)為核心的微電子學(xué)術(shù)期刊,同時(shí)全面介紹微電子行業(yè)的研發(fā)設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試和產(chǎn)品應(yīng)用技術(shù)。
《電子與封裝》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容:
(一)6H-SIC;SIC;低功耗;FPGA;基于FPGA
(二)表面貼裝技術(shù);SMT;貼片機(jī);波峰焊;SMT生產(chǎn)
(三)流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器;電荷;FPGA;電路;電荷耦合
(四)功率半導(dǎo)體器件;半導(dǎo)體功率器件;導(dǎo)通壓降;導(dǎo)電類型;電能傳輸系統(tǒng)
(五)電子鎮(zhèn)流器;單片機(jī);ZIGBEE;系統(tǒng)設(shè)計(jì);LED
(六)導(dǎo)電類型;半導(dǎo)體功率器件;功率半導(dǎo)體器件;比導(dǎo)通電阻;擊穿電壓
(七)反熔絲;淀積;編程;總劑量;抗輻射
(八)抗輻射;反熔絲;SOI;總劑量;單粒子
(九)系統(tǒng)芯片;SOC;JTAG;低功耗;ZIGBEE
(十)光通信;激光器;光子晶體;光城域網(wǎng);寬帶
電子與封裝收錄信息
電子與封裝雜志榮譽(yù)
電子與封裝雜志特色
1、文稿中的作者姓名按照作者承諾簽署順序在題名下方通欄居中排列,姓名下方加圓括號(hào)注明作者的單位全稱、單位所在的省、市和郵政編碼。
2、中文摘要300字左右,每篇文稿可選3~5個(gè)關(guān)鍵詞,中英文關(guān)鍵詞須對(duì)應(yīng),不得使用縮寫詞。
3、來稿論文應(yīng)符合學(xué)術(shù)規(guī)范。凡參引他人觀點(diǎn),一般應(yīng)引用原文,以雙引號(hào)標(biāo)出,并在注釋和參考文獻(xiàn)中詳細(xì)標(biāo)明出處;使用他人整理發(fā)表的文獻(xiàn)、圖版和數(shù)據(jù)資料者,亦請(qǐng)?jiān)谧⑨尯蛥⒖嘉墨I(xiàn)中相應(yīng)標(biāo)明。
4、引文標(biāo)示應(yīng)全文統(tǒng)一,采用方括號(hào)上標(biāo)的形式置于所引內(nèi)容最末句的右上角,引文編號(hào)用阿拉伯?dāng)?shù)字置于半角方括號(hào)中,如:“……模式[3]”。各級(jí)標(biāo)題不得使用引文標(biāo)示。正文中如需對(duì)引文進(jìn)行闡述時(shí),引文序號(hào)應(yīng)以逗號(hào)分隔并列排列于方括號(hào)中,如“文獻(xiàn)[1,2,6,9]從不同角度闡述了……”
5、引用的參考文獻(xiàn)應(yīng)為最近5年內(nèi)發(fā)表的,且一般要求5篇以上;另外,參考文獻(xiàn)著錄采用順序編碼制,即按在正文中被引用的先后順序排列。