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Journal of Semiconductors

Journal of Semiconductors雜志

Journal of Semiconductors

雜志簡介:《Journal of Semiconductors》雜志經(jīng)新聞出版總署批準,自1980年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號為11-5781/TN,是一本綜合性較強的電力期刊。該刊是一份月刊,致力于發(fā)表電力領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報。主要欄目:研究快報、研究論文、研究簡報、技術(shù)進展

主管單位:中國科學(xué)院
主辦單位:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會
國際刊號:1674-4926
國內(nèi)刊號:11-5781/TN
創(chuàng)刊時間:1980
所屬類別:電力類
發(fā)行周期:月刊
發(fā)行地區(qū):北京
出版語言:英語
預(yù)計審稿時間:1-3個月
綜合影響因子:0.17
復(fù)合影響因子:0.36
雜志簡介 收錄信息 雜志榮譽 歷史收錄 雜志特色 雜志問答

Journal of Semiconductors雜志簡介

《The Journal of Semiconductors》自1980年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號為11-5781/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進,受到越來越多的讀者喜愛。它是一本專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)術(shù)期刊。該期刊致力于發(fā)表半導(dǎo)體物理、器件和材料的研究成果,促進半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展。

該期刊涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括半導(dǎo)體物理學(xué)、器件物理學(xué)、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和量子計算等。它關(guān)注半導(dǎo)體原理、器件制備、性能測試、器件集成和應(yīng)用等方面的研究。發(fā)表的文章包括原創(chuàng)研究論文、綜述、評論和技術(shù)報告。這些文章由國內(nèi)外的半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家學(xué)者和研究人員編寫,經(jīng)過嚴格的學(xué)術(shù)評審和編輯,具有較高的學(xué)術(shù)水平和可信度。

它關(guān)注半導(dǎo)體理論與實際應(yīng)用之間的聯(lián)系,推動學(xué)術(shù)研究向?qū)嶋H應(yīng)用的轉(zhuǎn)化。通過發(fā)表基礎(chǔ)科學(xué)研究和工程技術(shù)成果,該期刊為讀者提供了深入了解半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用的機會。還關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的新興技術(shù)和發(fā)展趨勢。它報道相關(guān)領(lǐng)域的最新進展,如新型半導(dǎo)體材料、器件制備工藝、集成電路設(shè)計和新型器件應(yīng)用等。這些報道幫助讀者了解行業(yè)的前沿動態(tài)和創(chuàng)新方向。該雜志的目標讀者主要是從事半導(dǎo)體研究和工程開發(fā)的學(xué)者、研究人員、工程師和科技行業(yè)的專業(yè)人士。無論是從事學(xué)術(shù)研究還是應(yīng)用開發(fā),他們可以通過該期刊了解半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新發(fā)展和研究成果,拓展自己的專業(yè)知識和技術(shù)應(yīng)用能力。通過發(fā)表研究論文、綜述和技術(shù)報告,促進半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展。

Journal of Semiconductors收錄信息

Journal of Semiconductors雜志榮譽

Journal of Semiconductors歷史收錄

  • 北大核心期刊(2008版)
  • 北大核心期刊(2004版)
  • 北大核心期刊(2000版)
  • 北大核心期刊(1996版)
  • 北大核心期刊(1992版)
  • 中國科技核心期刊
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2023-2024)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2021-2022)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2019-2020)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2017-2018)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2015-2016)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2013-2014)
  • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2011-2012)
  • Web of Science數(shù)據(jù)庫
  • Scopus數(shù)據(jù)庫
  • 日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫
  • 科學(xué)文摘數(shù)據(jù)庫
  • 工程索引
  • EBSCO學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫
  • 中國科技期刊卓越行動計劃
  • 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)

Journal of Semiconductors雜志特色

1、如作者不同意文章被收錄,請在來稿時向本刊聲明,本刊將做適當處理。來稿請用小四號字打印,同時提供打印稿和電子文本(word格式)。

2、論文應(yīng)有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者,其間以逗號分開,其工作單位不同,應(yīng)按阿拉伯數(shù)字順序標注在右上角,單位與單位之間用分號。

3、文內(nèi)一級標題序號用1,2,3……,小四號黑體;文內(nèi)二級標題序號用1.1,1.2,1.3……,五號黑體;余類推。各層次的序號均須左頂格,后空一字距后再接排標題。

4、摘要的字數(shù)要求在200字左右,要中英文對應(yīng)。內(nèi)容包含研究的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。

5、正文中標題編排格式為:二級標題用“一”或“一、……”(居中、宋體四號);三級標題用“(一)”(首行縮進兩格、宋體五號加粗);四級標題用“1.……”(宋體五號)。

6、注釋統(tǒng)一采用尾注,并請以正文格式列于文章末尾,勿用word自動生成;序號采用“[]”方括號標注;外國作者國籍采用“〔〕”六角括號標注。

7、圖、表和公式應(yīng)通篇分別編號,圖題、表題應(yīng)有中英文對照。表格應(yīng)采用三線表形式,內(nèi)容以英文表述。參考文獻應(yīng)有中英文對照,并在正文中按順序引用。

8、前言應(yīng)交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的,提出研究需要解決的問題,重點闡述本研究創(chuàng)新點。

9、文章結(jié)構(gòu):稿件應(yīng)包括標題、摘要、引言、材料與方法、結(jié)果、討論、結(jié)論、參考文獻等部分。其中,摘要應(yīng)簡明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結(jié)果和結(jié)論;引言應(yīng)明確研究背景與目的;材料與方法應(yīng)準確描述實驗設(shè)計、樣本選擇、數(shù)據(jù)收集和統(tǒng)計分析方法;結(jié)果和討論分別闡述實驗結(jié)果和對結(jié)果的解釋和討論。

10、外文文獻在前,中文文獻在后。同一作者不同時期的文獻按出版時間的先后順序排列。外文書名以斜體書寫,實詞首字母大寫;外文論文篇名以正體書寫,僅篇名首字母大寫。每條頂格寫,回行時空兩格。

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