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雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Transactions On Electron Devices》重點(diǎn)專(zhuān)注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。根據(jù)網(wǎng)友分享的投稿經(jīng)驗(yàn)，平均審稿速度為約4.7個(gè)月。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，影響力非凡，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求很高，稿件投稿過(guò)審難度很大，刊登文章的學(xué)術(shù)水平和編輯質(zhì)量在同類(lèi)雜志中均名列前茅。如果你想在該雜志上發(fā)表論文，你可以向編輯部提交文章，但文章必須具有重要意義并代表該領(lǐng)域?qū)I(yè)的發(fā)展。我們歡迎廣大同領(lǐng)域的研究者提交投稿。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	2區(qū) 2區(qū)	是	否

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223

CiteScore 排名

學(xué)科類(lèi)別	分區(qū)	排名	百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱(chēng)引用次數(shù)
Fully Inkjet-Printed Photodetector Using a Graphene/Perovskite/Graphene Heterostructure42
Effects of Postannealing on the Characteristics and Reliability of Polyfluorene Organic Light-Emitting Diodes37
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance28
Demonstration of Constant 8 W/mm Power Density at   and 94 GHz in State-of-the-Art Millimeter-Wave N-Polar GaN MISHEMTs27
Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2 Layer for Large Memory Window and High Performance22
2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges20
High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxide-Based FeFET Memory Without Retention Penalty20
BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, AC Stress and Recovery Time Kinetics, Nitrogen Impact, and EOL Estimation20
Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells18
Design and Investigation of Charge-Plasma-Based Work Function Engineered Dual-Metal-Heterogeneous Gate Si-Si0.55Ge0.45 GAA-Cylindrical NWTFET for Ambipolar Analysis17
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND741
USA455
India399
Taiwan232
South Korea181
GERMANY (FED REP GER)149
Japan123
Italy111
France110
England100
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)239
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA123
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES92
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY81
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM76
IMEC74
PEKING UNIVERSITY66
XIDIAN UNIVERSITY58
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)57
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY50

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志社通訊方式

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