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Microelectronics Reliability
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Microelectronics Reliability SCIE

微電子可靠性雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q3 預計審稿周期: 較快,2-4周 約8.3周

《Microelectronics Reliability》是一本由Elsevier Ltd出版商出版的工程技術國際刊物,國際簡稱為MICROELECTRON RELIAB,中文名稱微電子可靠性。該刊創(chuàng)刊于1964年,出版周期為Monthly。 《Microelectronics Reliability》2023年影響因子為1.6,被收錄于國際知名權威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0026-2714
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
是否預警:否
E-ISSN:1872-941X
出版地區(qū):ENGLAND
Gold OA文章占比:14.36%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.0216...
出版商:Elsevier Ltd
出版周期:Monthly
影響因子:1.6
創(chuàng)刊時間:1964
年發(fā)文量:310
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Microelectronics Reliability 雜志簡介

《Microelectronics Reliability》重點專注發(fā)布工程技術-工程:電子與電氣領域的新研究,旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術-工程:電子與電氣領域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Microelectronics Reliability 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標。

Microelectronics Reliability 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352

32.2%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140

19.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179

27.1%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354

23.31%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140

18.93%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07%

Microelectronics Reliability CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.3
  • SJR:0.394
  • SNIP:0.801

CiteScore 排名

學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207

60%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797

50%

大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224

47%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434

47%

大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132

44%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284

43%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學術期刊質(zhì)量的指標,該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronics Reliability 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI25
  • An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction25
  • Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs21
  • Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence16
  • Controversial issues in negative bias temperature instability13
  • An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes13
  • A review of NBTI mechanisms and models12
  • New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs12
  • Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs11
  • Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices10

Microelectronics Reliability 雜志社通訊方式

《Microelectronics Reliability》雜志通訊方式為:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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