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雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Microelectronic Engineering 雜志簡(jiǎn)介

《Microelectronic Engineering》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Microelectronic Engineering 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Microelectronic Engineering 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	157 / 352	55.5%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	94 / 140	33.2%
學(xué)科：OPTICS	SCIE	Q2	45 / 119	62.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	81 / 179	55%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	74 / 140	47.5%
學(xué)科：OPTICS	SCIE	Q3	64 / 120	47.08%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	88 / 179	51.12%

Microelectronic Engineering CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore：5.3
SJR：0.503
SNIP：0.847

CiteScore 排名

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q2	127 / 434	70%
大類：Physics and Astronomy 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q2	68 / 224	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	242 / 797	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	87 / 284	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Surfaces, Coatings and Films	Q2	42 / 132	68%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronic Engineering 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)
Beyond the lateral flow assay: A review of paper-based microfluidics40
3D printed microfluidics and microelectronics36
Brain-inspired computing with resistive switching memory (RRAM): Devices, synapses and neural networks36
Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices32
Focused electron beam induced deposition meets materials science29
Micropumps and biomedical applications - A review25
Conduction mechanisms, dynamics and stability in ReRAMs17
Beyond 100 nm resolution in 3D laser lithography - Post processing solutions17
Microfluidic platforms for cell cultures and investigations17
Using block copolymers as infiltration sites for development of future nanoelectronic devices: Achievements, barriers, and opportunities11
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND104
South Korea80
France56
USA47
Japan45
GERMANY (FED REP GER)41
India36
Taiwan31
Greece27
Italy27
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)38
CEA22
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES18
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
FUDAN UNIVERSITY14
TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK13
AUTONOMOUS UNIVERSITY OF BARCELONA12
CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)12
NATIONAL CENTRE OF SCIENTIFIC RESEARCH DEMOKRITOS12
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)10

Microelectronic Engineering 雜志社通訊方式

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