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Semiconductor Science And Technology
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Semiconductor Science And Technology SCIE

半導體科技雜志

中科院分區(qū)：4區(qū) JCR分區(qū)：Q3 預計審稿周期： 一般,3-6周

《Semiconductor Science And Technology》是一本由IOP Publishing Ltd.出版商出版的工程技術國際刊物，國際簡稱為SEMICOND SCI TECH，中文名稱半導體科技。該刊創(chuàng)刊于1986年，出版周期為Monthly。 《Semiconductor Science And Technology》2023年影響因子為1.9，被收錄于國際知名權威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN：0268-1242
研究方向：工程技術-材料科學：綜合
是否預警：否
E-ISSN：1361-6641
出版地區(qū)：ENGLAND
Gold OA文章占比：10.23%
語言：English
是否OA：未開放
OA被引用占比：0.0493...
出版商：IOP Publishing Ltd.
出版周期：Monthly
影響因子：1.9
創(chuàng)刊時間：1986
年發(fā)文量：193
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Semiconductor Science And Technology 雜志簡介

《Semiconductor Science And Technology》重點專注發(fā)布工程技術-材料科學：綜合領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發(fā)表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術-材料科學：綜合領域，有較高影響力，對來稿文章質量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Semiconductor Science And Technology 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級版）
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Semiconductor Science And Technology 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫（2023-2024年最新版）
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

31.4%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

37.3%
按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

33.22%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

36.08%

Semiconductor Science And Technology CiteScore 評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：4.3
  • SJR：0.411
  • SNIP：0.741

CiteScore 排名

學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

61%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

61%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry Q2 137 / 317

56%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

55%
CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Semiconductor Science And Technology 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics59
  • Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues53
  • Metal oxide nanostructures for sensor applications29
  • How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches28
  • Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art21
  • Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk19
  • Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells18
  • Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers17
  • A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material15
  • The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides15

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND257
  • USA139
  • India121
  • GERMANY (FED REP GER)95
  • South Korea90
  • England64
  • Japan64
  • France55
  • Russia52
  • Taiwan31

機構發(fā)文發(fā)文量

  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES63
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)47
  • RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES42
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)41
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM34
  • IMEC20
  • SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU)20
  • FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITUT FUER HOECHSTFREQUENZTECHNIK (FBH)18
  • PEKING UNIVERSITY18
  • XIDIAN UNIVERSITY17

Semiconductor Science And Technology 雜志社通訊方式

《Semiconductor Science And Technology》雜志通訊方式為：IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學術規(guī)范，詳情請咨詢客服。

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