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Opto-electronics Review
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Opto-electronics Review SCIE

光電評(píng)論雜志

中科院分區(qū)：4區(qū) JCR分區(qū)：Q3 預(yù)計(jì)審稿周期： 12周，或約稿

《Opto-electronics Review》是一本由Versita出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物，國(guó)際簡(jiǎn)稱為OPTO-ELECTRON REV，中文名稱光電評(píng)論。該刊創(chuàng)刊于2006年，出版周期為Quarterly。 《Opto-electronics Review》2023年影響因子為1.3，被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN：1230-3402
研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1896-3757
出版地區(qū)：POLAND
Gold OA文章占比：9.52%
語(yǔ)言：English
是否OA：未開(kāi)放
OA被引用占比：0
出版商：Versita
出版周期：Quarterly
影響因子：1.3
創(chuàng)刊時(shí)間：2006
年發(fā)文量：55
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Opto-electronics Review 雜志簡(jiǎn)介

《Opto-electronics Review》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Opto-electronics Review 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Opto-electronics Review 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 264 / 352

25.1%
學(xué)科：OPTICS SCIE Q3 88 / 119

26.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 141 / 179

21.5%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354

21.61%
學(xué)科：OPTICS SCIE Q4 100 / 120

17.08%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179

19.27%

Opto-electronics Review CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：1.9
  • SJR：0.267
  • SNIP：0.525

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Radiation Q3 35 / 58

40%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering Q3 518 / 797

35%
大類：Physics and Astronomy 小類：General Materials Science Q3 327 / 463

29%
CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Opto-electronics Review 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Alternative transparent conducting electrode materials for flexible optoelectronic devices21
  • Analysis of birefringence property of three different nematic liquid crystals dispersed with TiO2 nanoparticles14
  • Recent infrared detector technologies, applications, trends and development of HgCdTe based cooled infrared focal plane arrays and their characterization12
  • A high-sensitivity photonic crystal fiber (PCF) based on the surface plasmon resonance (SPR) biosensor for detection of density alteration in non-physiological cells (DANCE)12
  • Extraction and application of natural pigments for fabrication of green dye-sensitized solar cells10
  • Investigation of 2D-photonic crystal resonant cavity based WDM demultiplexer9
  • A review on the progress of ZnSe as inorganic scintillator7
  • Electrical and optical properties of nanowires based solar cell with radial p-n junction6
  • Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors6
  • Numerical investigation of a broadband coherent supercontinuum generation in Ga8Sb32S60 chalcogenide photonic crystal fiber with all-normal dispersion5

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • Poland52
  • India22
  • Russia11
  • Ukraine6
  • Iran4
  • France3
  • GERMANY (FED REP GER)3
  • Japan3
  • CHINA MAINLAND2
  • Canada2

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY IN WARSAW22
  • WARSAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY10
  • RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES7
  • INSTITUTE OF ELECTRONIC MATERIALS TECHNOLOGY5
  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)5
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)4
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)3
  • LUCKNOW UNIVERSITY3
  • MINISTRY OF EDUCATION & SCIENCE OF UKRAINE3
  • NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES UKRAINE3

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