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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics SCIE

納米電子學與光電子學雜志雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預計審稿周期: 約1.0個月

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版的工程技術國際刊物,國際簡稱為J NANOELECTRON OPTOE,中文名稱納米電子學與光電子學雜志。該刊創(chuàng)刊于2006年,出版周期為Tri-annual。 《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》2023年影響因子為0.6,被收錄于國際知名權威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1555-130X
研究方向:工程:電子與電氣-工程技術
是否預警:是
E-ISSN:1555-1318
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:0.00%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
出版周期:Tri-annual
影響因子:0.6
創(chuàng)刊時間:2006
年發(fā)文量:179
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志簡介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重點專注發(fā)布工程:電子與電氣-工程技術領域的新研究,旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發(fā)表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程:電子與電氣-工程技術領域,有較高影響力,對來稿文章質量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術水平,乃至論文質量的重要指標。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices10
  • A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies9
  • Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection8
  • Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies8
  • Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate7
  • High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate6
  • Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes6
  • On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature6
  • Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance6
  • Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films6

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND322
  • India133
  • South Korea50
  • Saudi Arabia44
  • Iran41
  • Egypt31
  • Pakistan30
  • Malaysia27
  • Turkey26
  • Algeria24

機構發(fā)文發(fā)文量

  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
  • ISLAMIC AZAD UNIVERSITY16
  • COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI)15
  • ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY15
  • CHONGQING UNIVERSITY14
  • UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA14
  • KING KHALID UNIVERSITY12
  • KING SAUD UNIVERSITY10
  • ASSIUT UNIVERSITY9
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES9

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志社通訊方式

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志通訊方式為:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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