雜志簡(jiǎn)介：《微電子學(xué)》雜志經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1971年創(chuàng)刊，國(guó)內(nèi)刊號(hào)為50-1090/TN，是一本綜合性較強(qiáng)的電子期刊。該刊是一份雙月刊，致力于發(fā)表電子領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報(bào)。主要欄目：電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件與工藝、產(chǎn)品與可靠性、測(cè)試與封裝
《微電子學(xué)》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn)，自1971年創(chuàng)刊，國(guó)內(nèi)刊號(hào)為50-1090/TN，本刊積極探索、勇于創(chuàng)新，欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過(guò)編排與改進(jìn)，受到越來(lái)越多的讀者喜愛(ài)。
《微電子學(xué)》報(bào)道內(nèi)容涉及微電子科學(xué)與技術(shù)的各個(gè)領(lǐng)域，包括微電子器件與電路的基礎(chǔ)理論、設(shè)計(jì)技術(shù)、制造工藝、測(cè)試與組裝技術(shù)；可靠性技術(shù)、集成電路應(yīng)用技術(shù)；基礎(chǔ)材料與半導(dǎo)體設(shè)備等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文和技術(shù)報(bào)告；介紹和評(píng)述微電子領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)和最新進(jìn)展。
《微電子學(xué)》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容：
（一）功率半導(dǎo)體器件；半導(dǎo)體功率器件；導(dǎo)通壓降；導(dǎo)電類型；電能傳輸系統(tǒng)
（二）擊穿電壓；低功耗；帶隙基準(zhǔn)；低溫漂；鐵氧體
（三）BUCK變換器；自適應(yīng)；集成電路技術(shù)；輸入端；電路
（四）半導(dǎo)體；深槽；VDMOS；半導(dǎo)體器件；導(dǎo)電類型
（五）MEMS；低噪聲放大器；UHF_RFID閱讀器；微電子機(jī)械系統(tǒng)；硅基
（六）擊穿電壓；功率器件；SOI；導(dǎo)電類型；功率半導(dǎo)體器件
（七）電路；CMOS；低功耗；高速串行接口；模數(shù)轉(zhuǎn)換器
（八）電路；比較器；模數(shù)轉(zhuǎn)換器；跨導(dǎo)放大器；鎖存器
（九）集成電路；VLSI；超大規(guī)模集成電路；多芯片組件；IC
（十）UHF_RFID閱讀器；混頻器；CMOS；低噪聲放大器；全集成
1、參考文獻(xiàn)只擇最主要的、最新的、公開(kāi)發(fā)表的列入，其序號(hào)按文中出現(xiàn)先后為序編排。
2、關(guān)鍵詞一般3~8個(gè)，要規(guī)范，必須是名詞或名詞性詞組，所有關(guān)鍵詞要便于檢索和索引。
3、稿件務(wù)必注明作者簡(jiǎn)介姓名、性別、出生年月、畢業(yè)院校、職稱、目前從事何種工作、電話、手機(jī)、電子郵箱、通訊地址及郵編。
4、獲得基金資助產(chǎn)出的文章應(yīng)在文章首頁(yè)地腳以“基金項(xiàng)目：”作為標(biāo)識(shí)注明基金項(xiàng)目名稱，并在圓括號(hào)內(nèi)注明其項(xiàng)目編號(hào)。
5、注釋：以尾注形式進(jìn)行注釋，在文章中相應(yīng)出處的右上角用①等標(biāo)識(shí)。
立即指數(shù)：立即指數(shù) (Immediacy Index)是指用某一年中發(fā)表的文章在當(dāng)年被引用次數(shù)除以同年發(fā)表文章的總數(shù)得到的指數(shù)；該指數(shù)用來(lái)評(píng)價(jià)哪些科技期刊發(fā)表了大量熱點(diǎn)文章，進(jìn)而能夠衡量該期刊中發(fā)表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻(xiàn)：又稱來(lái)源文獻(xiàn)，是指引用了某篇文章的文獻(xiàn)，是對(duì)本文研究工作的繼續(xù)、應(yīng)用、發(fā)展或評(píng)價(jià)。這種引用關(guān)系表明了研究的去向，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，引證文獻(xiàn)數(shù)等于該文獻(xiàn)的被引次數(shù)。引證文獻(xiàn)是學(xué)術(shù)論著撰寫(xiě)中不可或缺的組成部分，也是衡量學(xué)術(shù)著述影響大小的重要因素。
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