半導(dǎo)體技術(shù)雜志收錄論文類型主要包括：趨勢(shì)與展望、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制備技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)等。
雜志論文要求：
1、來稿要求論點(diǎn)明確、論據(jù)可靠、文字精煉、圖表清晰、行文通順、體例規(guī)范，內(nèi)容注意保守國家機(jī)密。
2、文中如出現(xiàn)外國人名，第一次出現(xiàn)時(shí)需譯成漢語，用括號(hào)標(biāo)注外文原名，以后出現(xiàn)時(shí)直接用漢譯人名。
3、“一”后加“、”號(hào)，“l(fā)”后加“．”，（一）、(l)不加任何標(biāo)點(diǎn)，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”號(hào)。
4、引用文獻(xiàn)作者不超過3人的全部著錄；超過則只列出前3人，后加“，等.”。
5、作者簡(jiǎn)介包括以下內(nèi)容：真實(shí)姓名、出生年份、性別、籍貫、職稱、專業(yè)學(xué)位和研究方向。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志是由中國電子科技集團(tuán)公司主管，中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所主辦的北大期刊，影響因子為：0.34。順應(yīng)社會(huì)的發(fā)展，雜志獲得了多項(xiàng)榮譽(yù)：Caj-cd規(guī)范獲獎(jiǎng)期刊、中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊、等。
雜志往期論文摘錄展示
征稿通知 第13屆國際專用集成電路會(huì)議
金剛石基GaN HEMT技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)
基于InGaAs蓋革模式APD探測(cè)器的主動(dòng)淬滅電路設(shè)計(jì)
一種性能指標(biāo)可配置的SAR ADC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
SiC MOSFET的短路特性
