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半導(dǎo)體信息

半導(dǎo)體信息雜志

Semiconductor Information

雜志簡介:《半導(dǎo)體信息》雜志經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn),自1990年創(chuàng)刊,是一本綜合性較強(qiáng)的電子期刊。該刊是一份雙月刊,致力于發(fā)表電子領(lǐng)域的高質(zhì)量原創(chuàng)研究成果、綜述及快報(bào)。主要欄目:企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動(dòng)態(tài)

主管單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所
主辦單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
創(chuàng)刊時(shí)間:1990
所屬類別:電子類
發(fā)行周期:雙月刊
發(fā)行地區(qū):江蘇
出版語言:中文
預(yù)計(jì)審稿時(shí)間:1個(gè)月內(nèi)
綜合影響因子:0.01
總發(fā)文量:1777
總被引量:120
H指數(shù):3
雜志簡介 收錄信息 雜志特色 雜志評價(jià) 發(fā)文刊例 雜志問答

半導(dǎo)體信息雜志簡介

《半導(dǎo)體信息》自1990年創(chuàng)刊,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn),受到越來越多的讀者喜愛。

《半導(dǎo)體信息》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容:

(一)3G;自主創(chuàng)新;移動(dòng)用戶;LTE;EV-DO

半導(dǎo)體信息收錄信息

半導(dǎo)體信息雜志特色

1、文稿應(yīng)具有創(chuàng)造性、科學(xué)性、實(shí)用性。應(yīng)立論新穎、論據(jù)充分、數(shù)據(jù)可靠、文字精煉,嚴(yán)禁抄襲。

2、文章題名要求簡明、具體、新穎,中文題名不得超過20個(gè)字,必要時(shí)可加副標(biāo)題,并有英文翻譯。

3、參考文獻(xiàn):引文務(wù)必準(zhǔn)確,參考文獻(xiàn)表中列出的應(yīng)限于作者直接閱讀過的、最主要的、發(fā)表在正式出版物上并且在文章中直接引用的文獻(xiàn);按GB7714-87的規(guī)定采用順序編碼標(biāo)注制著錄。

4、論著須附200~300字中英文摘要,包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論。

5、作者簡介,包括姓名、出生年份、性別、民族、學(xué)位、職稱、從事的主要工作、E-mail等。

半導(dǎo)體信息雜志評價(jià)

發(fā)文量 影響因子
立即指數(shù) 被引次數(shù)
主要引證文獻(xiàn)期刊分析

立即指數(shù):立即指數(shù) (Immediacy Index)是指用某一年中發(fā)表的文章在當(dāng)年被引用次數(shù)除以同年發(fā)表文章的總數(shù)得到的指數(shù);該指數(shù)用來評價(jià)哪些科技期刊發(fā)表了大量熱點(diǎn)文章,進(jìn)而能夠衡量該期刊中發(fā)表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。

引證文獻(xiàn):又稱來源文獻(xiàn),是指引用了某篇文章的文獻(xiàn),是對本文研究工作的繼續(xù)、應(yīng)用、發(fā)展或評價(jià)。這種引用關(guān)系表明了研究的去向,經(jīng)過驗(yàn)證,引證文獻(xiàn)數(shù)等于該文獻(xiàn)的被引次數(shù)。引證文獻(xiàn)是學(xué)術(shù)論著撰寫中不可或缺的組成部分,也是衡量學(xué)術(shù)著述影響大小的重要因素。

半導(dǎo)體信息發(fā)文刊例

  • 1、發(fā)改委:將在集成電路等領(lǐng)域組建若干國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心作者:
  • 2、國家集成電路大基金二期啟動(dòng)加大對設(shè)計(jì)、模組等環(huán)節(jié)的投資作者:
  • 3、5G時(shí)代到來 中國5G芯片面臨哪些挑戰(zhàn)作者:
  • 4、5G提前一天內(nèi)半導(dǎo)體兩項(xiàng)重大宣布作者:
  • 5、Ampleon推出SOT502ISM頻段小型射頻功放晶體管可為射頻能量應(yīng)用提供600W功率作者:
  • 6、意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議作者:
  • 7、中芯國際砸百億美元強(qiáng)攻14nm2019年量產(chǎn)作者:
  • 8、氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國造”作者:
  • 9、維易科(VEECO)和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能推動(dòng)micro-LED的應(yīng)用作者:
  • 10、IEMN結(jié)果顯示ALLOS新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過1400V的擊穿電壓作者:

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