半導(dǎo)體信息雜志 出版周期為雙月刊；雜志期刊屬于預(yù)定型商品，大部分期刊15號以前付款可以訂閱下月刊物，超過15號只能預(yù)定下下個月。部分雜志以客服通知時間為準(zhǔn)。
半導(dǎo)體信息雜志基礎(chǔ)信息
《半導(dǎo)體信息》自1990年創(chuàng)刊，本刊積極探索、勇于創(chuàng)新，欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn)，受到越來越多的讀者喜愛。
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雜志往期論文摘錄展示
美國布法羅大學(xué)研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管提高器件功率并保持小體積、低質(zhì)量
成都集成電路行業(yè)協(xié)會成立推進(jìn)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動、構(gòu)建特色產(chǎn)業(yè)生態(tài)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶體管
意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
氮化鎵（GaN）器件可滿足雷達(dá)、電子戰(zhàn)（EW）和通信系統(tǒng)所需的高性能、高功率和
