固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志簡(jiǎn)介
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》經(jīng)新聞出版總署批準(zhǔn),自1981年創(chuàng)刊,國內(nèi)刊號(hào)為32-1110/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過編排與改進(jìn),受到越來越多的讀者喜愛。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志學(xué)者發(fā)表主要的研究主題主要有以下內(nèi)容:
(一)高電子遷移率晶體管;氮化鎵;GAN;砷化鎵;GAAS
(二)GAAS;MMIC;砷化鎵;單片;微波單片集成電路
(三)MMIC;砷化鎵;PHEMT;功率放大器;GAAS
(四)HFET;GAN;電流崩塌;勢(shì)壘;溝道
(五)CMOS;低功耗;跨導(dǎo);電路;鎖相環(huán)
(六)氮化鎵;GAN;MOCVD;二維電子氣;高電子遷移率晶體管
(七)砷化鎵;GAAS;單片;開關(guān);MESFET
(八)半導(dǎo)體器件;硅;雙極晶體管;集成電路;CMOS
(九)金剛石;襯底;二維電子氣;氮化鎵晶體管;鍵合
(十)微波單片集成電路;MMIC;功率MMIC;氮化鎵;功率放大器
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展收錄信息
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志榮譽(yù)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展歷史收錄
- 北大核心期刊(2020版)
- 北大核心期刊(2017版)
- 北大核心期刊(2014版)
- 北大核心期刊(2011版)
- 北大核心期刊(2008版)
- 北大核心期刊(2000版)
- 北大核心期刊(1996版)
- 北大核心期刊(1992版)
- 中國科技核心期刊
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2011-2012)
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2017-2018)
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2015-2016)
- 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2013-2014)
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- 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志特色
1、論文摘要字?jǐn)?shù)請(qǐng)控制在400字以內(nèi),內(nèi)容要明確體現(xiàn)核心觀點(diǎn)、創(chuàng)新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式(阿拉伯?dāng)?shù)字)書寫在正文第1頁最下方,寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個(gè)人簡(jiǎn)介。書寫格式依次為:姓名(出生年~)、性別、民族、學(xué)歷、職稱、研究方向等。
3、文章各章節(jié)或內(nèi)容層次的序號(hào),一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標(biāo)題的層級(jí),按一、(一)、1、(1)……排列,標(biāo)題序號(hào)后不加逗號(hào),標(biāo)題末尾不加句號(hào)。
5、注意引用近兩年國內(nèi)外的最新文獻(xiàn)。本刊采用順序編碼制標(biāo)注參考文獻(xiàn),文獻(xiàn)序號(hào)按出現(xiàn)先后排序,并在文中相應(yīng)處標(biāo)出。