固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志收錄論文類型主要包括： 三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡訊、等。
雜志論文要求：
1、論文摘要字?jǐn)?shù)請控制在400字以內(nèi)，內(nèi)容要明確體現(xiàn)核心觀點、創(chuàng)新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式（阿拉伯?dāng)?shù)字）書寫在正文第1頁最下方，寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個人簡介。書寫格式依次為：姓名(出生年～)、性別、民族、學(xué)歷、職稱、研究方向等。
3、文章各章節(jié)或內(nèi)容層次的序號,一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標(biāo)題的層級，按一、（一）、1、（1）……排列，標(biāo)題序號后不加逗號，標(biāo)題末尾不加句號。
5、注意引用近兩年國內(nèi)外的最新文獻(xiàn)。本刊采用順序編碼制標(biāo)注參考文獻(xiàn)，文獻(xiàn)序號按出現(xiàn)先后排序，并在文中相應(yīng)處標(biāo)出。
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志 是由中國電子科技集團公司主管， 南京電子器件研究所主辦的 北大期刊， 影響因子為：0.29。 順應(yīng)社會的發(fā)展，雜志獲得了多項榮譽：中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）、中科雙效期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊、中國期刊方陣雙效期刊、等。
雜志往期論文摘錄展示
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場板結(jié)構(gòu)對AlGaN/GaN HEMT溫度場的影響
短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型
L波段載板式雙平衡限幅低噪聲放大器
