固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志收錄論文類(lèi)型主要包括：三維集成射頻微系統(tǒng)(專(zhuān)欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊等。
雜志論文要求：
1、論文摘要字?jǐn)?shù)請(qǐng)控制在400字以內(nèi)，內(nèi)容要明確體現(xiàn)核心觀點(diǎn)、創(chuàng)新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式（阿拉伯?dāng)?shù)字）書(shū)寫(xiě)在正文第1頁(yè)最下方，寫(xiě)明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個(gè)人簡(jiǎn)介。書(shū)寫(xiě)格式依次為：姓名(出生年～)、性別、民族、學(xué)歷、職稱(chēng)、研究方向等。
3、文章各章節(jié)或內(nèi)容層次的序號(hào),一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標(biāo)題的層級(jí)，按一、（一）、1、（1）……排列，標(biāo)題序號(hào)后不加逗號(hào)，標(biāo)題末尾不加句號(hào)。
5、注意引用近兩年國(guó)內(nèi)外的最新文獻(xiàn)。本刊采用順序編碼制標(biāo)注參考文獻(xiàn)，文獻(xiàn)序號(hào)按出現(xiàn)先后排序，并在文中相應(yīng)處標(biāo)出。
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志是由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管，南京電子器件研究所主辦的統(tǒng)計(jì)源期刊，影響因子為：0.29。順應(yīng)社會(huì)的發(fā)展，雜志獲得了多項(xiàng)榮譽(yù)：中國(guó)優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫(kù)、中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù)（CJFD）、中科雙效期刊、中國(guó)科技期刊優(yōu)秀期刊、中國(guó)期刊方陣雙效期刊等。
雜志往期論文摘錄展示
X波段400 W GaN內(nèi)匹配功率管
0.3～2.0 GHz 100 W GaN超寬帶功率放大器
場(chǎng)板結(jié)構(gòu)對(duì)AlGaN/GaN HEMT溫度場(chǎng)的影響
短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型
L波段載板式雙平衡限幅低噪聲放大器
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