中國電機工程學報雜志收錄論文類型主要包括：智能電網(wǎng)、大電網(wǎng)規(guī)劃與運行、可再生能源并網(wǎng)技術、發(fā)電、電力電子與電力傳動、電機與電器、高壓放電與等離子體應用等。
雜志論文要求：
1、同時來稿注釋請采用腳注，格式參照附件。
2、本刊拒絕一稿多投，且來稿不退，請自留底稿。
3、題目：簡明確切地反映論文的特定內(nèi)容，一般不超過30 字，不得使用不常見的外來語、縮寫詞、符號、代號和商品名稱。
4、論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容(200字左右)，應具有獨立性與自含性。
5、論文作者姓名按照作者承諾簽署順序列舉于題名下方通欄居中排列。多個單位的作者用逗號分隔，通過姓名右上角數(shù)字在篇首頁腳中標識各自所屬單位。
中國電機工程學報雜志是由中國科學技術協(xié)會主管，中國電機工程學會主辦的北大期刊，影響因子為：3.5。順應社會的發(fā)展，雜志獲得了多項榮譽：百種重點期刊、Caj-cd規(guī)范獲獎期刊、中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）、中科雙效期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊、等。
雜志往期論文摘錄展示
2020年《中國電機工程學報》征訂單
碳化硅功率器件封裝關鍵技術綜述及展望
MPS結(jié)構(gòu)SiC二極管場路耦合建模及多速率電熱聯(lián)合仿真分析
不同雪崩沖擊模式下SiC MOSFET的失效機理
包含SiC/SiO2界面電荷的SiC MOSFET的SPICE模型
