發(fā)布時(shí)間：2023-11-08 10:17:41
序言：寫(xiě)作是分享個(gè)人見(jiàn)解和探索未知領(lǐng)域的橋梁，我們?yōu)槟x了8篇的半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)樣本，期待這些樣本能夠?yàn)槟峁┴S富的參考和啟發(fā)，請(qǐng)盡情閱讀。
和手機(jī)、液晶行業(yè)的情形一樣，日本芯片制造商們也走上了集體突圍之路。
9月16日，NEC電子與瑞薩科技(RenesasTeehnology)宣布，雙方將于明年4月合并，組建全球第三大芯片制造商。iSuppli的數(shù)據(jù)顯示，瑞薩科技與NEC電子合并后將成為全球第三大芯片制造商，僅次于英特爾和三星電子。
上一財(cái)年，瑞薩科技、NEC均出現(xiàn)不同程度的虧損。并且，由于NEC電子壓縮生產(chǎn)、研發(fā)和勞動(dòng)力成本的幅度不及銷(xiāo)售額降幅，因此將連續(xù)第五年出現(xiàn)虧損。該公司曾于今年7月表示，在截至6月30日的季度內(nèi)，共計(jì)削減250億日元生產(chǎn)和研發(fā)費(fèi)用，并計(jì)劃在本財(cái)年內(nèi)將凈虧損額削減89％，至90億日元。
NEC電子與瑞薩科技合并僅僅是日本芯片生產(chǎn)商尋找合力的一個(gè)縮影。9月10日，日本媒體報(bào)道，日本幾大電子和芯片制造巨頭正在開(kāi)展合作，努力開(kāi)發(fā)出應(yīng)用于消費(fèi)電子設(shè)備的新型低功率處理器。小組成員包括富士通、東芝、索尼、松下、瑞薩科技、NEC、日立和佳能等。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將提供30至404L日元以支持該項(xiàng)目。
日本芯片生產(chǎn)商在經(jīng)濟(jì)震蕩時(shí)期的抱團(tuán)取暖，這已不是第一次。不過(guò)，類(lèi)似行為的次數(shù)多了就不禁讓人懷疑，日本芯片行業(yè)是否進(jìn)人了持續(xù)衰退期。
失去的“十年”
20世紀(jì)80年代，世界上最大的三個(gè)半導(dǎo)體公司都在日本，全球PC所用的日本芯片一度占到全部芯片數(shù)量的60％，以致日本有些政治家盲目自大，認(rèn)為日本到了全面挑戰(zhàn)美國(guó)的時(shí)候，全世界也都在懷疑美國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)上是否會(huì)落后于日本。
但就當(dāng)時(shí)全世界半導(dǎo)體市場(chǎng)而言，日本的半導(dǎo)體工業(yè)集中在技術(shù)含量低的業(yè)務(wù)上，如存儲(chǔ)器等芯片，而高端的芯片工業(yè)，如計(jì)算機(jī)處理器和通信的數(shù)字信號(hào)處理器則全部在美國(guó)。上世紀(jì)80年代，英特爾甚至停掉了內(nèi)存業(yè)務(wù)，將這個(gè)市場(chǎng)完全讓給了日本人。當(dāng)時(shí)，日本半導(dǎo)體公司在全球市場(chǎng)大賺特賺，日本人一片歡呼，認(rèn)為它們打敗了美國(guó)人。
好景不長(zhǎng)，新舊世紀(jì)之交，日本芯片的“體弱多病”逐漸顯現(xiàn)，即便是全球經(jīng)濟(jì)打了個(gè)噴嚏，對(duì)日本也不啻為一次寒流。2001年，日本五大芯片制造商業(yè)績(jī)滑坡的狀況相繼浮出水面，在季報(bào)虧損的風(fēng)暴中，日本大型芯片企業(yè)幾乎無(wú)一幸免。專(zhuān)家指出，移動(dòng)電話、個(gè)人電腦等信息技術(shù)關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)的世界范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)性衰退，是把日本大公司擊落下馬的主要原因。
隨后，芯片生產(chǎn)商進(jìn)行了新一輪結(jié)構(gòu)調(diào)整、裁員。日本芯片生產(chǎn)商抱團(tuán)取暖的消息也傳出來(lái)。據(jù)當(dāng)時(shí)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，包括NEC、三菱電機(jī)、東芝和富士通在內(nèi)的日本11家大型電子企業(yè)決定，共同出資設(shè)立生產(chǎn)下一代芯片的合資公司，以便在國(guó)際市場(chǎng)上與咄咄逼人的美韓等國(guó)同行進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。
類(lèi)似的情況也出現(xiàn)在2005年。此時(shí)的日本芯片業(yè)不僅增長(zhǎng)速度慢于全球水平，其市場(chǎng)份額也不斷下滑。用“跳水”來(lái)形容日本芯片業(yè)績(jī)的下滑也并無(wú)不妥。繼松下、三洋相繼宣布大規(guī)模裁減半導(dǎo)體部門(mén)員工后，日本第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)商N(yùn)EC電子公司也難逃厄運(yùn)，股價(jià)曾一度創(chuàng)歷史新低。
不久，東芝、日立以及瑞薩科技三家日本公司又宣布成立芯片聯(lián)盟，三家公司共享半導(dǎo)體生產(chǎn)資源。據(jù)當(dāng)時(shí)官方文件透露：聯(lián)盟研究了如何通過(guò)合作提高芯片產(chǎn)量，并且更為合理配置旗下的工廠資源。另外，三家公司考慮了建立一家新合資半導(dǎo)體公司的可能性。
應(yīng)急措施沒(méi)有幫助日本芯片生產(chǎn)商從困境中走出來(lái)。2008年，全球金融風(fēng)暴對(duì)日本芯片公司又是一次嚴(yán)厲的“摧殘”，日本人對(duì)芯片業(yè)務(wù)更加小心謹(jǐn)慎。
鑒于半導(dǎo)體長(zhǎng)期受到的挑戰(zhàn)，日前富士通已表示將減少微芯部門(mén)的研發(fā)費(fèi)用，并將次世代28納米芯片制程外包給臺(tái)積電。澳大利亞麥格理銀行的研究報(bào)告稱，富士通此舉將節(jié)省近8.8億美元的開(kāi)支。
今年8月，東芝新上任的CEO佐佐木則夫也發(fā)表類(lèi)似的申明，公司的財(cái)務(wù)預(yù)算將更加保守，同時(shí)芯片業(yè)務(wù)將拓展到電腦之外的領(lǐng)域。9月8日，東芝在提交給東京證交所的聲明中稱，公司正考慮外包一些超出產(chǎn)能的超大規(guī)模集成電子電路(LSI)生產(chǎn)業(yè)務(wù)。
日前，Gartner了最新的全球半導(dǎo)體行業(yè)研究報(bào)告總算讓備受壓抑的日本芯片業(yè)舒了口氣。報(bào)告預(yù)測(cè)，2009年下半年，全球半導(dǎo)體設(shè)備支出將增長(zhǎng)47.3％，但是鑒于上半年下降的幅度較大，2009年全年半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比下降47.9％。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)的反彈出現(xiàn)在2010年，屆時(shí)可實(shí)現(xiàn)34.3％的增長(zhǎng)。
結(jié)合IDC的樂(lè)觀預(yù)期，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，日本芯片廠商近期的合縱連橫就是搶在經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇之前提前布局，意圖一舉走出長(zhǎng)期被動(dòng)的局面。
而日本當(dāng)局撐腰，或許讓日本芯片制造商聯(lián)手出征的底氣更足。日前，路透社報(bào)道，日本新組建的政府或?qū)⒊雠_(tái)一系列措施，以刺激日本經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇。半導(dǎo)體作為日本的支柱產(chǎn)業(yè)之一，勢(shì)必得到當(dāng)局的財(cái)政補(bǔ)貼。
聯(lián)手開(kāi)辟新市場(chǎng)
9月10日，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，富士通、東芝、索尼、瑞薩科技、NEE、日立、佳能等幾大巨頭同意集中各自的資源，開(kāi)發(fā)一種新型的標(biāo)準(zhǔn)化低功率處理器。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將提供30至40億日元支持該項(xiàng)目，旨在幫助日本芯片商在美國(guó)市場(chǎng)上與英特爾抗衡。
參與這一計(jì)劃的早稻田大學(xué)教授笠原博德介紹說(shuō)，在項(xiàng)目的初級(jí)階段，各公司獨(dú)自生產(chǎn)能夠兼容節(jié)能軟件的CPU。在此后的過(guò)程中，這些公司將使用來(lái)自早稻田大學(xué)、日立等研發(fā)的處理器原型，該原型可以使用太陽(yáng)能電池，能耗比普通CPU低30％。該芯片標(biāo)準(zhǔn)有望在2012年推出，屆時(shí)這些CPU將用于電視、數(shù)碼相機(jī)和其它電子產(chǎn)品，如用于汽車(chē)、服務(wù)器、機(jī)器人等。
日本廠商的新舉措符合市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。美國(guó)《福布斯》近日撰文指出，由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化的芯片，不僅可以減少各芯片制造商的研發(fā)費(fèi)用，這種節(jié)能芯片還延伸至電子消費(fèi)品、汽車(chē)、服務(wù)器、機(jī)器人等更廣泛的領(lǐng)域。
此前，業(yè)內(nèi)人士就指出了日本芯片商的“軟肋”：過(guò)度龐大的芯片廠商一般擁有過(guò)多的員工和產(chǎn)品組合，而許多產(chǎn)品都是“沉睡”產(chǎn)品或者是薄利產(chǎn)品。
日本芯片制造商能否借此走出去仍是未知之?dāng)?shù)，不過(guò)，在擁擠的世界市場(chǎng)，縱然是新領(lǐng)域也不會(huì)是一馬平川。盡管日本芯片軍團(tuán)開(kāi)發(fā)的這種節(jié)能芯片可以避免與X86芯片的直接競(jìng)爭(zhēng)，但隨著英特爾全面布局嵌入設(shè)備市場(chǎng)，英特爾與日本芯片商在這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)不可避免。
7月14日，英特爾在北京舉辦了嵌入式策略溝通會(huì)。英特爾公司數(shù)字企業(yè)事業(yè)部副總裁、嵌入式與通信事業(yè)部總經(jīng)理道格?戴維斯介紹說(shuō)，英特爾的芯片架構(gòu)將超出Pc和服務(wù)器領(lǐng)域，面向嵌入式的芯片將為涉及30個(gè)領(lǐng)域的近3500家客戶提供服務(wù)。針對(duì)打印成像、工業(yè)、車(chē)載等應(yīng)用領(lǐng)域，英特爾可以提供小體積、功耗小于5～75W的英特爾凌動(dòng)處理器及相關(guān)芯片組。
關(guān)鍵詞:節(jié)能;減排;功率半導(dǎo)體
Foundational Technology of Energy-Saving & Emission Reduction ――Power Semiconductor Devices and IC’s
ZHANG Bo
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,
University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054,China)
Abstract: Power semiconductor devices and IC’s, an important branch of semiconductor technology, are a key and basic technology for energy-saving and emission reduction with the wide spread use of electronics in the consumer, industrial and military sectors. The development,challengeand market of power semiconductor devices are discussed in this paper. The future perspectives and key development areas of power semiconductor devices and IC’s in China are also described.
Keywords: Energy-saving; Emission reduction; Power semiconductor device
1引言
功率半導(dǎo)體芯片包括功率二極管、功率開(kāi)關(guān)器件與功率集成電路。近年來(lái),隨著功率MOS技術(shù)的迅速發(fā)展,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制擴(kuò)展到4C產(chǎn)業(yè)(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和汽車(chē)電子),滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)與國(guó)防建設(shè)的各個(gè)領(lǐng)域。
功率半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電能處理的半導(dǎo)體產(chǎn)品。在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),電能將一直是人類(lèi)消耗的最大能源,從手機(jī)、電視、洗衣機(jī)、到高速列車(chē),均離不開(kāi)電能。無(wú)論是水電、核電、火電還是風(fēng)電,甚至各種電池提供的化學(xué)電能,大部分均無(wú)法直接使用,75%以上的電能應(yīng)用需由功率半導(dǎo)體進(jìn)行變換以后才能供設(shè)備使用。每個(gè)電子產(chǎn)品均離不開(kāi)功率半導(dǎo)體器件。使用功率半導(dǎo)體的目的是使用電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保并給使用者提供更多的方便。如通過(guò)變頻來(lái)調(diào)速,使變頻空調(diào)在節(jié)能70%的同時(shí),更安靜、讓人更舒適。手機(jī)的功能越來(lái)越多,同時(shí)更加輕巧,很大程度上得益于超大規(guī)模集成電路的發(fā)展和功率半導(dǎo)體的進(jìn)步。同時(shí),人們希望一次充電后有更長(zhǎng)的使用時(shí)間,在電池沒(méi)有革命性進(jìn)步以前,需要更高性能的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行高效的電源管理。正是由于功率半導(dǎo)體能將 ‘粗電’變?yōu)椤姟?因此它是節(jié)能減排的基礎(chǔ)技術(shù)和核心技術(shù)。
隨著綠色環(huán)保在國(guó)際上的確立與推進(jìn),功率半導(dǎo)體的發(fā)展應(yīng)用前景更加廣闊。據(jù)國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2011年功率半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)的銷(xiāo)售量將占全球的50%,接近200億美元。與微處理器、存儲(chǔ)器等數(shù)字集成半導(dǎo)體相比,功率半導(dǎo)體不追求特征尺寸的快速縮小,它的產(chǎn)品壽命周期可為幾年甚至十幾年。同時(shí),功率半導(dǎo)體也不要求最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,其生產(chǎn)線成本遠(yuǎn)低于Moore定律制約下的超大規(guī)模集成電路。因此,功率半導(dǎo)體非常適合我國(guó)的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀以及我國(guó)能源緊張和構(gòu)建和諧社會(huì)的國(guó)情。
目前,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體高端產(chǎn)品與國(guó)際大公司相比還存在很大差距,高端器件的進(jìn)口替代才剛剛開(kāi)始。因此國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在提升工藝水平的同時(shí),應(yīng)不斷提高國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新力度和產(chǎn)品性能,以滿足高端市場(chǎng)的需求,促進(jìn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的健康發(fā)展以及國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2需求分析
消費(fèi)電子、工業(yè)控制、照明等傳統(tǒng)領(lǐng)域市場(chǎng)需求的穩(wěn)定增長(zhǎng),以及汽車(chē)電子產(chǎn)品逐漸增加,通信和電子玩具市場(chǎng)的火爆,都使功率半導(dǎo)體市場(chǎng)繼續(xù)保持穩(wěn)步的增長(zhǎng)速度。同時(shí),高效節(jié)能、保護(hù)環(huán)境已成為當(dāng)今全世界的共識(shí),提高效率與減小待機(jī)功耗已成為消費(fèi)電子與家電產(chǎn)品的兩個(gè)非常關(guān)鍵的指標(biāo)。中國(guó)目前已經(jīng)開(kāi)始針對(duì)某些產(chǎn)品提出能效要求,對(duì)冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)等產(chǎn)品進(jìn)行了能效標(biāo)識(shí),這些提高能效的要求又成為功率半導(dǎo)體迅速發(fā)展的另一個(gè)重要驅(qū)動(dòng)力。
根據(jù)CCID的統(tǒng)計(jì),從2004年到2008年,中國(guó)功率器件市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到17.0%,2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到828億元,在嚴(yán)重的金融危機(jī)下仍然同比增長(zhǎng)7.8%,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年的增長(zhǎng)將保持在10%左右。隨著整機(jī)產(chǎn)品更加重視節(jié)能、高效,電源管理IC、功率驅(qū)動(dòng)IC、MOSFET和IGBT仍是未來(lái)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的發(fā)展亮點(diǎn)。
在政策方面,國(guó)家中長(zhǎng)期重大發(fā)展規(guī)劃、重大科技專(zhuān)項(xiàng)、國(guó)家863計(jì)劃、973計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等都明確提出要加快集成電路、軟件、關(guān)鍵元器件等重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,在國(guó)家剛剛出臺(tái)的“電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃”中,強(qiáng)調(diào)著重從集成電路和新型元器件技術(shù)的基礎(chǔ)研究方面開(kāi)展系統(tǒng)深入的研究,為我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的理論和技術(shù)基礎(chǔ)。在國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)中明確提出,功率器件及模塊技術(shù)、半導(dǎo)體功率器件技術(shù)、電力電子技術(shù)是未來(lái)5～15年15個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)技術(shù)。在目前國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)的“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”兩個(gè)專(zhuān)項(xiàng)中,也將大屏幕PDP驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)化、數(shù)字輔助功率集成技術(shù)研究、0.13微米SOI通用CMOS與高壓工藝開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化等功率半導(dǎo)體相關(guān)課題列入支持計(jì)劃。在國(guó)家973計(jì)劃和國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)和重大項(xiàng)目中,屬于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的基礎(chǔ)研究一直是受到大力支持的研究方向。
總體而言,從功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求和國(guó)家政策分析來(lái)看,我國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展呈現(xiàn)以下三個(gè)方面的趨勢(shì):① 硅基功率器件以實(shí)現(xiàn)高端產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化為發(fā)展目標(biāo);② 高壓集成工藝和功率IC以應(yīng)用研究為主導(dǎo)方向;③ 第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件、系統(tǒng)功率集成芯片PSoC以基礎(chǔ)研究為重點(diǎn)。
3功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
四十多年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)沿著“摩爾定律”的路線不斷縮小芯片特征尺寸。然而目前國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)瓶頸:隨著線寬的越來(lái)越小,制造成本成指數(shù)上升;而且隨著線寬接近納米尺度,量子效應(yīng)越來(lái)越明顯,同時(shí)芯片的泄漏電流也越來(lái)越大。因此半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展必須考慮“后摩爾時(shí)代”問(wèn)題,2005年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)就提出了另外一條半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線,即“More than Moore-超摩爾定律”, 如圖1所示。
從路線圖可以清楚看到,未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)主要沿著“More Moore”與“More Than Moore”兩個(gè)維度的方向不斷發(fā)展,同時(shí)又交叉融合,最終以3D集成的形式得到價(jià)值優(yōu)先的多功能集成系統(tǒng)?！癕ore Moore”是指繼續(xù)遵循Moore定律,芯片特征尺寸不斷縮小(Scaling down),以滿足處理器和內(nèi)存對(duì)增加性能/容量和降低價(jià)格的要求。這種縮小除了包括在晶圓水平和垂直方向上的幾何特征尺寸的繼續(xù)縮小,還包括與此關(guān)聯(lián)的三維結(jié)構(gòu)改善等非幾何學(xué)工藝技術(shù)和新材料的運(yùn)用等。而“More Than Moore”強(qiáng)調(diào)功能多樣化,更注重所做器件除了運(yùn)算和存儲(chǔ)之外的新功能,如各種傳感功能、通訊功能、高壓功能等,以給最終用戶提供更多的附加價(jià)值。以價(jià)值優(yōu)先和功能多樣化為目的的“More Than Moore”不強(qiáng)調(diào)縮小特征尺寸,但注重系統(tǒng)集成,在增加功能的同時(shí),將系統(tǒng)組件級(jí)向更小型、更可靠的封裝級(jí)(SiP)或芯片級(jí)(SoC)轉(zhuǎn)移。日本Rohm公司提出的“Si+α”集成技術(shù)即是“More Than Moore”思想的一種實(shí)現(xiàn)方式,它是以硅材料為基礎(chǔ)的,跨領(lǐng)域(包括電子、光學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)、生物、醫(yī)藥等等)的復(fù)合型集成技術(shù),其核心理念是電性能(“Si”)與光、力、熱、磁、生化(“α”)性能的組合,包括:顯示器/發(fā)光體(LCD、EL、LD、LED)+LSI的組合感光體、(PD、CCD、CMOS傳感器)+LSI的形式、MEMS/生化(傳感器、傳動(dòng)器)+LSI等的結(jié)合。
在功能多樣化的“More Than Moore”領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體是其重要組成部分。雖然在不同應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的要求有所不同,但從其發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,功率半導(dǎo)體技術(shù)的目標(biāo)始終是提高功率集成密度,減少功率損耗。因此功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn)是圍繞提高效率、增加功能、減小體積,不斷發(fā)展新的器件理論和結(jié)構(gòu),促進(jìn)各種新型器件的發(fā)明和應(yīng)用。下面我們對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路和功率系統(tǒng)集成三個(gè)方面的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行梳理和分析。
1) 功率半導(dǎo)體(分立)器件
功率半導(dǎo)體(分立)器件國(guó)內(nèi)也稱為電力電子器件,包括:功率二極管、功率MOSFET以及IGBT等。為了使現(xiàn)有功率半導(dǎo)體(分立)器件能適應(yīng)市場(chǎng)需求的快速變化,需要大量融合超大規(guī)模集成電路制造工藝,不斷改進(jìn)材料性能或開(kāi)發(fā)新的應(yīng)用材料、繼續(xù)優(yōu)化完善結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝技術(shù)等,提高器件功率集成密度,減少功率損耗。目前,國(guó)際上在功率半導(dǎo)體(分立)器件領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究方向主要為器件新結(jié)構(gòu)和器件新材料。
在器件新結(jié)構(gòu)方面,超結(jié)(Super-Junction)概念的提出,打破了傳統(tǒng)功率MOS器件理論極限,即擊穿電壓與比導(dǎo)通電阻2.5次方關(guān)系,被國(guó)際上譽(yù)為“功率MOS器件領(lǐng)域里程碑”。超結(jié)結(jié)構(gòu)已經(jīng)成為半導(dǎo)體功率器件發(fā)展的一個(gè)重要方向,目前國(guó)際上多家半導(dǎo)體廠商,如Infineon、IR、Toshiba等都在采用該技術(shù)生產(chǎn)低功耗MOS器件。對(duì)于IGBT器件,其功率損耗和結(jié)構(gòu)發(fā)展如圖2所示。從圖中可以看到,基于薄片加工工藝的場(chǎng)阻(Field Stop)結(jié)構(gòu)是高壓IGBT的主流工藝;相比于平面結(jié)結(jié)構(gòu)(Planar),槽柵結(jié)構(gòu)(Trench)IGBT能夠獲得更好的器件優(yōu)值,同時(shí)通過(guò)IGBT的版圖和柵極優(yōu)化,還可以進(jìn)一步提高器件的抗雪崩能力、減小終端電容和抑制EMI特性。
功率半導(dǎo)體(分立)器件發(fā)展的另外一個(gè)重要方向是新材料技術(shù),如以SiC和GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),是高壓、高溫、高頻、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN功率器件技術(shù)是一項(xiàng)戰(zhàn)略性的高新技術(shù),具有極其重要的軍用和民用價(jià)值,因此得到國(guó)內(nèi)外眾多半導(dǎo)體公司和研究結(jié)構(gòu)的廣泛關(guān)注和深入研究,成為國(guó)際上新材料、微電子和光電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2) 功率集成電路(PIC)
功率集成電路是指將高壓功率器件與信號(hào)處理系統(tǒng)及接口電路、保護(hù)電路、檢測(cè)診斷電路等集成在同一芯片的集成電路,又稱為智能功率集成電路(SPIC)。智能功率集成作為現(xiàn)代功率電子技術(shù)的核心技術(shù)之一,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,一方面向高壓高功率集成(包括基于單晶材料、外延材料和SOI材料的高壓集成技術(shù))發(fā)展,同時(shí)也向集成更多的控制(包括時(shí)序邏輯、DSP及其固化算法等)和保護(hù)電路的高密度功率集成發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)功能更強(qiáng)的智能控制能力。
3)功率系統(tǒng)集成
功率系統(tǒng)集成技術(shù)在向低功耗高密度功率集成技術(shù)發(fā)展的同時(shí),也逐漸進(jìn)入傳統(tǒng)SoC和CPU、DSP等領(lǐng)域。目前,SoC的低功耗問(wèn)題已經(jīng)成為制約其發(fā)展的瓶頸,研發(fā)新的功率集成技術(shù)是解決系統(tǒng)低功耗的重要途徑,同時(shí),隨著線寬的進(jìn)一步縮小,內(nèi)核電壓降低,對(duì)電源系統(tǒng)提出了更高要求。為了在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)包括功率管理的低功耗SoC,功率管理單元需要借助數(shù)字輔助的手段,即數(shù)字輔助功率集成技術(shù)(Digitally Assisted Power Integration,DAPI)。DAPI技術(shù)是近幾年數(shù)字輔助模擬設(shè)計(jì)在功率集成方面的深化與應(yīng)用,即采用更多數(shù)字的手段,輔助常規(guī)的模擬范疇的集成電路在更小線寬的先進(jìn)工藝線上得到更好性能的電路。
4我國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀、
問(wèn)題及發(fā)展建議
在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)中,功率半導(dǎo)體器件的作用長(zhǎng)期以來(lái)都沒(méi)有引起人們足夠的重視,發(fā)展速度滯后于大規(guī)模集成電路。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件廠商的主要產(chǎn)品還是以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流產(chǎn)品功率MOS器件只是近年才有所涉及,且最先進(jìn)的超結(jié)低功耗功率MOS尚無(wú)法生產(chǎn),另一主流產(chǎn)品IGBT尚處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要以微波功率器件(SiC MESFET和GaN HEMT)為主,尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件(電力電子器件)的產(chǎn)品研發(fā)。目前市場(chǎng)熱點(diǎn)的高壓BCD集成技術(shù)雖然引起了從功率半導(dǎo)體器件IDM廠家到集成電路代工廠的高度關(guān)注,但目前尚未有成熟穩(wěn)定的高壓BCD工藝平臺(tái)可供高性能智能功率集成電路的批量生產(chǎn)。
由于高性能功率半導(dǎo)體器件技術(shù)含量高,制造難度大,目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平存在較大差距,很多中高端功率半導(dǎo)體器件必須依賴進(jìn)口。技術(shù)差距主要表現(xiàn)在:(1)產(chǎn)品落后。國(guó)外以功率MOS為代表的新型功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)占據(jù)主要市場(chǎng),而國(guó)內(nèi)功率器件生產(chǎn)還以傳統(tǒng)雙極器件為主,功率MOS以平面工藝的VDMOS為主,缺乏高元胞密度、低功耗、高器件優(yōu)值的功率MOS器件產(chǎn)品,國(guó)際上熱門(mén)的以超結(jié)(Super junction)為基礎(chǔ)的低功耗MOS器件國(guó)內(nèi)尚處于研發(fā)階段;IGBT只能研發(fā)基于穿通型PT工藝的600V產(chǎn)品或者NPT型1200V低端產(chǎn)品,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)際水平。(2)工藝技術(shù)水平較低。功率半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn),國(guó)內(nèi)大部分廠商仍采用IDM方式,采用自身微米級(jí)工藝線,主流技術(shù)水平和國(guó)際水平相差至少2代以上,產(chǎn)品以中低端為主。但近年來(lái)隨著集成電路的迅速發(fā)展,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工藝條件已大大改善,已擁有進(jìn)行一些高端產(chǎn)品如槽柵功率MOS、IGBT甚至超結(jié)器件的生產(chǎn)能力。(3)高端人才資源匱乏,尤其是高端設(shè)計(jì)人才和工藝開(kāi)發(fā)人才非常缺乏?，F(xiàn)有研發(fā)人員的設(shè)計(jì)水平有待提高,特別是具有國(guó)際化視野的高端設(shè)計(jì)人才非常缺乏。(4)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)前十大廠商中無(wú)一本土廠商,半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)仍處在國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈分工的中低端,對(duì)于附加值高的產(chǎn)品如IGBT、AC-DC功率集成電路,現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)僅有封裝能力,不但附加值極低,還形成了持續(xù)的技術(shù)依賴。
筆者認(rèn)為,功率半導(dǎo)體是最適合中國(guó)發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),相對(duì)于超大規(guī)模集成電路而言,其資金投入較低,產(chǎn)品周期較長(zhǎng),市場(chǎng)關(guān)聯(lián)度更高,且還沒(méi)有形成如英特爾和三星那樣的壟斷企業(yè)。但中國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面,應(yīng)大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù),以市場(chǎng)帶動(dòng)設(shè)計(jì)、以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯片,以芯片壯大產(chǎn)業(yè)。
功率半導(dǎo)體芯片不同于以數(shù)字集成電路為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路,功率半導(dǎo)體芯片屬于模擬器件的范疇。功率器件和功率集成電路的設(shè)計(jì)與工藝制造密切相關(guān),因此國(guó)際上著名的功率器件和功率集成電路提供商均屬于IDM企業(yè)。但隨著代工線的迅速發(fā)展,國(guó)內(nèi)如華虹NEC、成芯8英寸線、無(wú)錫華潤(rùn)上華6英寸線均提供功率半導(dǎo)體器件的代工服務(wù),并正積極開(kāi)發(fā)高壓功率集成電路制造平臺(tái)。功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)也應(yīng)借鑒集成電路設(shè)計(jì)公司的成功經(jīng)驗(yàn),成立獨(dú)立的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)公司,充分利用代工線先進(jìn)的制造手段,依托自身的銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò),生產(chǎn)高附加值的高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。
設(shè)計(jì)弱于芯片的局面起源于設(shè)計(jì)力量的薄弱。雖然國(guó)內(nèi)一些功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)新近建設(shè)了6英寸功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線,但生產(chǎn)能力還遠(yuǎn)未達(dá)到設(shè)計(jì)要求。筆者認(rèn)為其中的關(guān)鍵是技術(shù)人員特別是具有國(guó)際視野和豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的高級(jí)人才的不足。企業(yè)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)人才的培養(yǎng)與引進(jìn),積極開(kāi)展產(chǎn)學(xué)研協(xié)作,以雄厚的技術(shù)實(shí)力支撐企業(yè)的發(fā)展。
我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展最終還應(yīng)依靠功率半導(dǎo)體IDM企業(yè),在目前自身生產(chǎn)條件落后于國(guó)際先進(jìn)水平的狀況下,IDM企業(yè)不能局限于自身產(chǎn)品線的生產(chǎn)能力,應(yīng)充分依托國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件龐大的市場(chǎng)空間,用技術(shù)去開(kāi)拓市場(chǎng),逐漸從替代產(chǎn)品向產(chǎn)品創(chuàng)新、牽引整機(jī)發(fā)展轉(zhuǎn)變;大力發(fā)展設(shè)計(jì)能力,一方面依靠自身工藝線進(jìn)行生產(chǎn),加強(qiáng)技術(shù)改造和具有自身工藝特色的產(chǎn)品創(chuàng)新,另一方面借用先進(jìn)代工線的生產(chǎn)能力,壯大自身產(chǎn)品線,加速企業(yè)發(fā)展。
5結(jié)束語(yǔ)
總之,功率半導(dǎo)體技術(shù)自新型功率MOS器件問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足進(jìn)展,已深入到工業(yè)生產(chǎn)與人民生活的各個(gè)方面。與國(guó)外相比,我國(guó)在功率半導(dǎo)體技術(shù)方面的研究存在著一定差距,但同時(shí)日益走向成熟。總體而言,功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)正朝著提高效率、多功能、集成化以及智能化、系統(tǒng)化方向發(fā)展;伴隨制造技術(shù)已進(jìn)入深亞微米時(shí)代,新結(jié)構(gòu)、新工藝硅基功率器件正不斷出現(xiàn)并逼近硅材料的理論極限,以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件也正不斷走向成熟。
我國(guó)擁有國(guó)際上最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),擁有迅速發(fā)展的半導(dǎo)體代工線,擁有國(guó)際上最大規(guī)模的人才培養(yǎng)能力,但中國(guó)功率半導(dǎo)體的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面。功率半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)力量的引進(jìn)和培養(yǎng),大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù),以市場(chǎng)帶動(dòng)設(shè)計(jì)、以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯片,以芯片壯大產(chǎn)業(yè)。
光子芯片和量子芯片是兩個(gè)維度的概念，沒(méi)有強(qiáng)弱之分。光子芯片運(yùn)用的是半導(dǎo)體發(fā)光技術(shù)，產(chǎn)生持續(xù)的激光束，驅(qū)動(dòng)其他的硅光子器件；量子芯片就是將量子線路集成在基片上，進(jìn)而承載量子信息處理的功能。
光子芯片可以將磷化銦的發(fā)光屬性和硅的光路由能力整合到單一混合芯片中，當(dāng)給磷化銦施加電壓的時(shí)候，光進(jìn)入硅片的波導(dǎo)，產(chǎn)生持續(xù)的激光束，這種激光束可驅(qū)動(dòng)其他的硅光子器件。這種基于硅片的激光技術(shù)可使光子學(xué)更廣泛地應(yīng)用于計(jì)算機(jī)中，因?yàn)椴捎么笠?guī)模硅基制造技術(shù)能夠大幅度降低成本。
量子芯片的出現(xiàn)得益于量子計(jì)算機(jī)的發(fā)展。要想實(shí)現(xiàn)商品化和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，量子計(jì)算機(jī)需要走集成化的道路。超導(dǎo)系統(tǒng)、半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)、微納光子學(xué)系統(tǒng)、甚至是原子和離子系統(tǒng)，都想走芯片化的道路。從發(fā)展看，超導(dǎo)量子芯片系統(tǒng)從技術(shù)上走在了其它物理系統(tǒng)的前面；傳統(tǒng)的半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)也是人們努力探索的目標(biāo)，因?yàn)楫吘箓鹘y(tǒng)的半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展已經(jīng)很成熟，如半導(dǎo)體量子芯片在退相干時(shí)間和操控精度上一旦突破容錯(cuò)量子計(jì)算的閾值，有望集成傳統(tǒng)半導(dǎo)體工業(yè)的現(xiàn)有成果，大大節(jié)省開(kāi)發(fā)成本。
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目前全球初步形成以亞洲、北美、歐洲三大區(qū)域?yàn)橹行牡腖ED 產(chǎn)業(yè)格局,以日本日亞、豐田合成、美國(guó)Cree、Lumileds 和Osram等為專(zhuān)利核心的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)格局,幾大大企業(yè)之間通過(guò)交互授權(quán)避免專(zhuān)利糾紛,其它企業(yè)則通過(guò)獲得這些企業(yè)的單邊授權(quán)避免專(zhuān)利糾紛,幾大企業(yè)各具優(yōu)勢(shì),但都專(zhuān)注于各自領(lǐng)域的高端市場(chǎng),其它企業(yè)則角逐中高端、中低端乃至低端市場(chǎng),構(gòu)成產(chǎn)業(yè)的中心格局。
半導(dǎo)體照明的世界布局
近年來(lái),世界各國(guó)在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域躍躍欲試、劍拔弩張,巨大的跨國(guó)商機(jī)相繼誘發(fā)催生了日本的“21世紀(jì)照明”計(jì)劃、美國(guó)的“下一代照明計(jì)劃”、歐盟的“彩虹計(jì)劃”、韓國(guó)的“固態(tài)照明計(jì)劃”、中國(guó)臺(tái)灣的“新世紀(jì)照明光源開(kāi)發(fā)計(jì)劃”和中國(guó)大陸的“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”計(jì)劃等國(guó)家級(jí)照明規(guī)劃,促使日本、美國(guó)、歐盟、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸等國(guó)家或地區(qū)攜巨資前赴后繼地在上游的襯底制作、外延晶片生長(zhǎng),中游的光刻、腐蝕、金屬蒸鍍、芯片切割和測(cè)試分選以及下游的器件封裝、集成應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)展開(kāi)了激烈地競(jìng)爭(zhēng)。
LED 照明產(chǎn)生的效益顯而易見(jiàn),世界各國(guó)都在政府的大力資助下加快推進(jìn)LED 照明取代傳統(tǒng)照明的步伐,日本、美國(guó)、歐盟、韓國(guó)、東南亞、我國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)政府都制定了相應(yīng)的發(fā)展計(jì)劃。
美國(guó):取代白熾燈熒光燈正在路上
美國(guó)政府尤其制定了詳細(xì)的中長(zhǎng)期半導(dǎo)體照明戰(zhàn)略計(jì)劃。根據(jù)美國(guó)固態(tài)照明 LED 發(fā)展路線圖計(jì)劃,從2002 年到2011 年,美國(guó)政府計(jì)劃每年投入0.5 億美元,來(lái)資助企業(yè)、國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)三方共同推動(dòng)LED 照明技術(shù)的加速發(fā)展。LED 照明技術(shù)的發(fā)展目標(biāo)是:發(fā)光效率將分階段從2002 年的25lm/w提高到2007 年75lm/w、2012 年的150lm/w和2020 年的200lm/w,發(fā)光成本將從2002 的200 美元/千流明降低到2007 年的20 美元/千流明、2012 年的5 美元/千流明和2020 年的2 美元/千流明。LED 照明在2007 年開(kāi)始滲透進(jìn)入白熾燈照明市場(chǎng)、2012 年進(jìn)入熒光燈照明市場(chǎng),而大量取代白熾燈和熒光燈將分別在2012年和2020 年。
日本:“二十一世紀(jì)照明”發(fā)展計(jì)劃二期計(jì)劃今年實(shí)現(xiàn)
日本21世紀(jì)照明計(jì)劃是由日本金屬研發(fā)中心(The Japan Research and Development Center of Metals)和新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)發(fā)起和組織的為期5年(1998-2004)的一個(gè)國(guó)家計(jì)劃。這項(xiàng)計(jì)劃的參與機(jī)構(gòu)包括4所大學(xué)、13家公司和一個(gè)協(xié)會(huì),目標(biāo)旨在通過(guò)使用長(zhǎng)壽命、更薄更輕的GaN高效藍(lán)光和紫外LED技術(shù)使得照明的能量效率提高為傳統(tǒng)熒光燈的兩倍,減少CO2的產(chǎn)生。整個(gè)計(jì)劃的財(cái)政預(yù)算為60億日元。整個(gè)計(jì)劃分為5個(gè)主要領(lǐng)域進(jìn)行,即在襯底、外延片、制造裝置、LED光源和LED光源的應(yīng)用。該計(jì)劃的技術(shù)路線圖,其核心在于高質(zhì)量材料的生長(zhǎng),高功率管芯的制備以及高效率白光熒光粉的獲得。計(jì)劃解決的問(wèn)題包括:GaN基化合物半導(dǎo)體發(fā)光機(jī)理研究;UV LEDs的外延生長(zhǎng)方法的改進(jìn);大尺寸同質(zhì)襯底生長(zhǎng);開(kāi)發(fā)近紫外激發(fā)的白光熒光粉,實(shí)現(xiàn)使用白光LED的照明光源。
日本已經(jīng)完成了“二十一世紀(jì)照明”發(fā)展計(jì)劃的第一期目標(biāo),正在組織實(shí)施第二期計(jì)劃,他們計(jì)劃到2010年,LED的發(fā)光效率達(dá)到120lm/W。
歐洲:彩虹計(jì)劃
歐盟設(shè)立了多色光源的“彩虹計(jì)劃”(Rainbow Project AlInGaN for Multicolor Sources),成立了執(zhí)行研究總暑,委托6個(gè)大公司和2個(gè)大學(xué)執(zhí)行。
韓國(guó):“固態(tài)照明計(jì)劃”
韓國(guó)的“固態(tài)照明計(jì)劃”經(jīng)政府審議批準(zhǔn),2004-2008年國(guó)家投入1億美元,企業(yè)提供30%的配套資金,近期開(kāi)始實(shí)施,預(yù)期2008年達(dá)到80 lm/W。
韓國(guó)政府組織里有2個(gè)產(chǎn)業(yè)相關(guān)單位,一是主管工商業(yè)與能源的產(chǎn)業(yè)資源部以及主管財(cái)經(jīng)的財(cái)政經(jīng)濟(jì)部。產(chǎn)業(yè)資源部表示,目前產(chǎn)業(yè)資源部光電相關(guān)發(fā)展有2 大計(jì)劃,一是產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)計(jì)劃下之「GaN 光半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)子計(jì)劃,此一國(guó)家型計(jì)劃時(shí)程自1999年12月起至2004年11月止為期5年,總經(jīng)費(fèi)為200億韓元,政府與民間公司出資各占一半。研究項(xiàng)目包括以GaN 為研究材料之白光LED,藍(lán)、綠光Laser Diode 及高功率電子組件HEMT三大領(lǐng)域,其中各三大領(lǐng)域之Leader廠商分別由Knowledge*On、Samsung Advanced Institute of Technology 及LG Institute of Technology 負(fù)責(zé)進(jìn)度管理。預(yù)期效果則期望在2006 年達(dá)到替代10 億美元的進(jìn)口GaN 相關(guān)產(chǎn)品。
另一個(gè)光電發(fā)展計(jì)劃為在光州市設(shè)立韓國(guó)光產(chǎn)業(yè)振興會(huì)(KAPID),韓國(guó)光電技術(shù)研究院(KPTI)以及若干小型研究計(jì)劃,發(fā)展時(shí)間自2000年起至2003年止為期4 年,總經(jīng)費(fèi)為4,020 億韓元,由產(chǎn)業(yè)資源部與光州市政府及民間企業(yè)共同投資,其中KAPID于2000年5月成立,負(fù)責(zé)光電產(chǎn)業(yè)之信息研究與推動(dòng),而KPTI 則專(zhuān)注在光電技術(shù)之研究開(kāi)發(fā),新建筑物及相關(guān)研究設(shè)備則預(yù)計(jì)2003年才能全部完成。
中國(guó)臺(tái)灣地區(qū):下一代照明光源開(kāi)發(fā)計(jì)劃”
由臺(tái)灣政府和工業(yè)技術(shù)研究院主導(dǎo),于2002年9月積極協(xié)助島內(nèi)十一家LED廠商成立“下一代照明光源研發(fā)聯(lián)盟”,進(jìn)行高亮度白光LED的研究和開(kāi)發(fā),并結(jié)合照明系統(tǒng)業(yè)界,2002年10 月在臺(tái)灣”經(jīng)濟(jì)部”能源委員會(huì)與臺(tái)灣區(qū)照明燈具輸出同業(yè)公會(huì)的進(jìn)一步支持下成立”半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)推動(dòng)聯(lián)盟”,并在臺(tái)灣政府支持下,建立”高亮度白光LED專(zhuān)案計(jì)劃”,希望透過(guò)半導(dǎo)體和照明產(chǎn)業(yè)之聯(lián)誼活動(dòng),整合照明節(jié)能系統(tǒng)產(chǎn)品與元組件技術(shù),同時(shí)結(jié)合臺(tái)灣政府科技發(fā)展資源,利用臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所形成的優(yōu)勢(shì),加速高效率LED照明技術(shù)的研發(fā)和普及應(yīng)用,提升臺(tái)灣照明相關(guān)技術(shù)水準(zhǔn)及產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,并制定相關(guān)LED產(chǎn)業(yè)政策,以創(chuàng)造臺(tái)灣半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
臺(tái)灣地區(qū)推動(dòng)的“下一代照明光源開(kāi)發(fā)計(jì)劃”,投資約6-10億新臺(tái)幣,2005年目標(biāo)是40 lm/W的LED投入生產(chǎn),而實(shí)驗(yàn)室目標(biāo)為100 lm/W。
國(guó)外LED芯片巨頭壟斷中國(guó)照明市場(chǎng)趨勢(shì)加強(qiáng)
與中國(guó)本土芯片企業(yè)的暗落趨勢(shì)形成鮮明對(duì)照,以Cree、Osram、Philip等五大LED芯片巨頭為代表的國(guó)外企業(yè)進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)的形勢(shì)咄咄逼人,他們欲壟斷中國(guó)LED照明市場(chǎng)的意圖明顯加強(qiáng):
Cree在保持2008年全年增長(zhǎng)率達(dá)24%的情況下,積極為進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)布局。2007年并購(gòu)華剛(COTCO)的LED封裝事業(yè)部,將其產(chǎn)業(yè)鏈延伸至中游的封裝階段,進(jìn)一步擴(kuò)大其在芯片方面的優(yōu)勢(shì)地位。目前,Cree正在積極推動(dòng)與韓國(guó)顯示器巨頭LG Display在中國(guó)合資建造LED封裝廠。
Osram面對(duì)未來(lái)3年內(nèi)中國(guó)巨大的照明市場(chǎng),也積極在中國(guó)各個(gè)照明重鎮(zhèn)設(shè)立研發(fā)、生產(chǎn)等分立機(jī)構(gòu),擴(kuò)張其在中國(guó)的版圖,如在佛山及紹興建立照明應(yīng)用及封裝子公司,在上海、武漢及深圳等地設(shè)立研發(fā)機(jī)構(gòu)等。
Philip旗下的Lumileds則是利用Philip在中國(guó)已有的品牌優(yōu)勢(shì)及芯片優(yōu)勢(shì)在全國(guó)各地大力打造大型LED照明工程,積極推廣其LED照明解決方案。
目前,Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少數(shù)幾家國(guó)外公司是國(guó)際上主流的照明級(jí)LED芯片及器件制造商,他們具有各自獨(dú)特的外延和芯片技術(shù)路線,各家所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品封裝白光器件的發(fā)光效率普遍超過(guò)100lm/W。
以下是當(dāng)前各家公司的工藝技術(shù)路線和產(chǎn)品現(xiàn)狀。
科銳(CREE)
美國(guó)科銳公司是目前世界上采用SiC作為襯底材料制造藍(lán)光發(fā)光二極管用外延片和芯片的專(zhuān)業(yè)公司之一,其在不斷改善外延品質(zhì)及提高內(nèi)量子效率的同時(shí),采用了薄膜(Thin-film)芯片技術(shù)大幅度提升產(chǎn)品亮度,薄膜芯片技術(shù)即利用襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)將發(fā)光層倒裝在Si襯底上,薄膜芯片技術(shù)可以有效地解決芯片的散熱問(wèn)題和提高取光效率?？其J公司的功率LED芯片產(chǎn)品EZ系列采用薄膜芯片技術(shù)已經(jīng)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的光效水平,據(jù)2009年底的報(bào)道顯示,科銳冷白光LED器件研發(fā)水平已經(jīng)達(dá)到186lm/W,這是功率型白光LED有報(bào)道以來(lái)的最好成績(jī)。
科銳公司是市場(chǎng)上領(lǐng)先的革新者與半導(dǎo)體的制造商,以顯著地提高固態(tài)照明,電力及通訊產(chǎn)品的能源效果來(lái)提高它們的價(jià)值?？其J的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)關(guān)鍵來(lái)源于公司在有氮化鎵(GaN)的碳化硅(SiC)方面上獨(dú)一的材料專(zhuān)長(zhǎng)知識(shí),來(lái)制造芯片及成套的器件。這些芯片及成套的器件可在很小的空間里用更大的功率,同時(shí)比別的現(xiàn)有技術(shù),材料及產(chǎn)品放熱更少。
科銳把能源回歸解決方案用于多種用途,包括在更亮及可調(diào)節(jié)的發(fā)光二極管光一般照明,更鮮艷的背光顯示,高電流開(kāi)關(guān)電源和變轉(zhuǎn)速電動(dòng)機(jī)的最佳電力管理,和更為有效的數(shù)據(jù)與聲音通訊的無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施等方面有令人興奮的可選擇的方案。Cree的顧客有從創(chuàng)新照明燈具制造商到與國(guó)防有關(guān)的聯(lián)邦機(jī)構(gòu)。
科銳的產(chǎn)品系列包括藍(lán)的和綠的發(fā)光二極管芯片,照明發(fā)光二極管,背光發(fā)光二極管,為功率開(kāi)關(guān)器件,無(wú)線電頻率設(shè)備和無(wú)線電設(shè)備的發(fā)光二極管。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片級(jí)封裝技術(shù);大功率芯片和封裝技術(shù)。
歐司朗(Osram)
德國(guó)Osram公司早期的產(chǎn)品是以SiC作為襯底材料,相繼推出了ATON和NOTA系列產(chǎn)品。近期,Osram的產(chǎn)品和研發(fā)方向也是基于薄膜芯片技術(shù),其最新研發(fā)的ThinGaN TOPLED采用藍(lán)寶石作為襯底材料,運(yùn)用鍵合、激光剝離、表面微結(jié)構(gòu)化和使用全反射鏡等技術(shù)途徑,芯片出光效率達(dá)到75%。據(jù)最新的報(bào)道,目前,Osram的功率型白光LED光效已經(jīng)達(dá)到136lm/W。
歐司朗是世界上兩大光源制造商之一,總部設(shè)在德國(guó)慕尼黑,研發(fā)和制造基地在馬來(lái)西亞,是西門(mén)子全資子公司。歐司朗在中國(guó)共設(shè)有三個(gè)生產(chǎn)基地,并擁有研發(fā)中心,公司在華員工總數(shù)接近8000人。其中歐司朗(中國(guó))照明有限公司成立于1995年,公司擁有員工約3500人,在全國(guó)設(shè)有近40個(gè)銷(xiāo)售辦事處。歐司朗中國(guó)已成為Osram亞太地區(qū)的實(shí)力中心,并在Osram全球戰(zhàn)略中扮演重要角色。
Osram的照明產(chǎn)品多達(dá)5000多個(gè)品種,能夠充分滿足人們?cè)诠ぷ鳌⑸罴疤厥忸I(lǐng)域的多方面需求。其產(chǎn)品系列包括:熒光燈、緊湊型熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈、鹵素?zé)?、汽?chē)燈、摩托車(chē)燈、特種光源、電子鎮(zhèn)流器和發(fā)光二極管等。先進(jìn)的電子管理系統(tǒng)及完善的物流配送網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)了Osram產(chǎn)品服務(wù)中國(guó)千家萬(wàn)戶的愿望。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):SiC襯底的“Faceting”;在白光LED用熒光材料方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì);zz正裝功率型封裝技術(shù)及車(chē)用燈具技術(shù)。
飛利浦(PHILIPS)
美國(guó)Philips Lumileds公司的功率型氮化鎵藍(lán)光LED芯片采用藍(lán)寶石作為外延襯底材料,芯片結(jié)構(gòu)上則一直沿用倒裝結(jié)構(gòu)。隨著薄膜技術(shù)的發(fā)展,Lumileds創(chuàng)造性地整合了倒裝技術(shù)和薄膜技術(shù),推出了全新的薄膜倒裝芯片(Thin-film Flip-chip,TFFC)技術(shù),集成芯片和封裝工藝,最大限度降低熱阻并提高取光效率。目前,Lumileds功率型白光的研發(fā)水平已經(jīng)突破140lm/W。
飛利浦照明為所有領(lǐng)域提供先進(jìn)的高效節(jié)能解決方案,包括:道路、辦公室、工業(yè)、娛樂(lè)和家居照明等。在構(gòu)筑未來(lái)的新型照明的應(yīng)用和技術(shù)使用上,Philips也位居領(lǐng)導(dǎo)地位,例如LED技術(shù)。公司主要產(chǎn)品包括,氙汽車(chē)燈、道路照明、氛圍照明。
飛利浦確立在LED芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位主要得益于對(duì)Lumileds的收購(gòu),Lumileds由安捷倫和飛利浦合資組建于1999年,2005年P(guān)hilips完全收購(gòu)了該公司。Philips
Lumileds公司是世界領(lǐng)先的大功率LED照明解決方案供應(yīng)商。該公司一貫致力于推動(dòng)固態(tài)照明技術(shù)的發(fā)展,提高照明解決方案的環(huán)保性,幫助減少二氧化碳排放和減少擴(kuò)建電廠的需求,而該公司領(lǐng)先的光輸出、功效和熱能管理就是在此方面長(zhǎng)期努力的直接結(jié)果。PhilipsLumileds公司的LUXEONLED產(chǎn)品為商店、戶外、辦公室、學(xué)校和家居照明解決方案提供了新的選擇。Philips Lumileds可提供各種LED晶片和LED封裝,有紅、綠、藍(lán)、琥珀、及白光等LED產(chǎn)品。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):獨(dú)特?zé)岢猎O(shè)計(jì)和Si-Submount“Flip-Chip”封裝技術(shù);在大功率白光照明管芯方面具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
日亞(Nichia)
世界上最早的半導(dǎo)體白光生產(chǎn)廠商,技術(shù)水平始終處于國(guó)際領(lǐng)先的地位。在藍(lán)光芯片的技術(shù)路線上,Nichia采用圖形化藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)技術(shù)結(jié)合ITO透明導(dǎo)電層芯片工藝,產(chǎn)品性能表現(xiàn)優(yōu)越,特別是小功率芯片,最新的報(bào)道甚至達(dá)到245lm/W的性能指標(biāo)。Nichia的功率型芯片也是基于正裝結(jié)構(gòu),2008年Nichia公司宣布其功率LED產(chǎn)品光效達(dá)到145lm/W,芯片規(guī)格為1mm×1mm。
日亞化學(xué),著名LED芯片制造商,日本公司,成立于1956年,開(kāi)發(fā)出世界第一顆藍(lán)色LED(1993年),世界第一顆純綠LED(1995年),在世界各地建有子公司。
日亞化學(xué)公司以“Ever Researching for a Brighter World”為宗旨,迄今致力于制造及銷(xiāo)售以熒光粉(無(wú)機(jī)熒光粉)為中心的精密化學(xué)品。在研制發(fā)光物質(zhì)的過(guò)程中,于1993年發(fā)表了震驚世界的藍(lán)色LED以來(lái),相繼實(shí)現(xiàn)了紫外、黃色的氮化物L(fēng)ED及白色LED的商品化,大幅度擴(kuò)大了LED的應(yīng)用領(lǐng)域。此外,日亞化學(xué)公司正大力開(kāi)發(fā)對(duì)于信息媒介的發(fā)展不可缺的紫藍(lán)色激光半導(dǎo)體,希望將來(lái)氮化物半導(dǎo)體能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要領(lǐng)域的一部分。
特別值得一提的是,2008、2009年間,Nichia與多家企業(yè)簽署了各種形式的交叉許可協(xié)議。其中,2009年2月2日,Nichia與首爾半導(dǎo)體簽署的交叉許可協(xié)議最為引人關(guān)注,這標(biāo)志著兩家公司將正式停止耗時(shí)4年,在美國(guó)、德國(guó)、日本、英國(guó)、韓國(guó)所進(jìn)行的所有專(zhuān)利官司案件,該交叉許可協(xié)議涵蓋了LED和LD(激光二極管)技術(shù),這些技術(shù)將允許雙方可以無(wú)限制地使用對(duì)方的專(zhuān)利。此外,Nichia還與夏普、Luminus、AgiLight等公司簽署了交叉許可協(xié)議。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):第一只商品化的GaN基藍(lán)光LED/LD;擁有目前最好的熒光粉技術(shù);藍(lán)光激發(fā)黃色熒光粉技術(shù)專(zhuān)利;藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)技術(shù)。
首爾半導(dǎo)體(Seoul Semiconductor)
首爾半導(dǎo)體近些年增長(zhǎng)速度迅速,已榮升世界頂級(jí)LED芯片制造商之列。據(jù)英國(guó)市場(chǎng)調(diào)研公司IMS Research的報(bào)告顯示,首爾半導(dǎo)體2007年LED封裝產(chǎn)品的總收入位居世界第四位。
首爾半導(dǎo)體(株)在2006年和2007年分別被Forbes及Business Week兩份雜志選定為“2006年亞洲最具前景企業(yè)”其可能性受到了認(rèn)可。首爾半導(dǎo)體主力產(chǎn)品交流電源專(zhuān)用半導(dǎo)體光源ACRICHE被歐洲最權(quán)威雜志Elektronik選定為“最優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”,2008年還被知識(shí)經(jīng)濟(jì)部授予了“大韓民國(guó)技術(shù)大獎(jiǎng)”而被期待著成為先導(dǎo)國(guó)內(nèi)外未來(lái)光源市場(chǎng)的企業(yè)。2008年度總銷(xiāo)售額為2,841億元,確保著5,000多個(gè)專(zhuān)利。全世界設(shè)有包括3個(gè)現(xiàn)地法人的25個(gè)海外營(yíng)業(yè)所,114個(gè)店。
首爾半導(dǎo)體的主要業(yè)務(wù)乃生產(chǎn)全線LED封裝及定制模塊產(chǎn)品,包括采用交流電驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體光源產(chǎn)品如:Acriche、高亮度大功率LED、側(cè)光LED、頂光LED、貼片LED、插件LED及食人魚(yú)(超強(qiáng)光)LED等。產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于一般照明、顯示屏照明、移動(dòng)電話背光源、電視、手提電腦、汽車(chē)照明、家居用品及交通訊號(hào)等范疇之中。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):受光及發(fā)光體復(fù)合化,擁有“MODULE”化技術(shù);擁有“DIGITAL”回路技術(shù);擁有藍(lán)光、白光LED在內(nèi)的解決方案;擁有超迷你型、超薄型技術(shù)。
豐田合成(Toyoda Gosei)
豐田合成,總部位于日本愛(ài)知,生產(chǎn)汽車(chē)部件和LED,LED約占收入10%。
豐田合成與東芝所共同開(kāi)發(fā)的白光LED,是采用紫外光LED與螢光體組合的方式,與一般藍(lán)光LED與螢光體組合的方式不同。如果將LED比喻為汽車(chē),那么可以說(shuō),日亞化工提出了車(chē)輪和發(fā)動(dòng)機(jī)的概念,而豐田合成則提出了車(chē)體和輪胎的概念。1986年,受名譽(yù)教授赤崎先生的委托,豐田合成利用自身在汽車(chē)零部件薄膜技術(shù)方面的積累,開(kāi)始展開(kāi)LED方面的研發(fā)工作。1987年,受科學(xué)技術(shù)振興事業(yè)團(tuán)的開(kāi)發(fā)委托,豐田合成成功地在藍(lán)寶石上形成了LED電極。因此,把豐田合成譽(yù)為“藍(lán)色LED的先鋒”并不為過(guò)。豐田合成在近年來(lái)的發(fā)展速度也相當(dāng)快。1998年,其銷(xiāo)售額為63億日元,但到2002年,已增長(zhǎng)至252億日元。
美國(guó)SemiLEDs公司
是繼Osram和Cree之后采用襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)商品化生產(chǎn)薄膜GaN垂直結(jié)構(gòu)LED的廠商。他們推出了新型的金屬基板垂直電流激發(fā)式發(fā)光二極管(Metal Vertical Photon Light Emitting Diodes,MvpLEDTM)產(chǎn)品,其封裝成白光器件的發(fā)光效率目前可以達(dá)到120lm/W。
Lumination
GELcore 是GE 照明與EMCORE 公司的合資公司,創(chuàng)建于1999 年1 月,總部位于美國(guó)新澤西州。公司致力于高亮度LED 產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。通過(guò)把GE 先進(jìn)的照明技術(shù)、品牌優(yōu)勢(shì)和全球渠道與EMCORE 權(quán)威的半導(dǎo)體技術(shù)相結(jié)合,GELcore 已經(jīng)在轉(zhuǎn)變?nèi)藗儗?duì)照明的認(rèn)識(shí)過(guò)程中扮演了重要的角色。GELcore 現(xiàn)有的產(chǎn)品包括大功率LED 交通信號(hào)燈、大型景觀燈、其它建筑、消費(fèi)和特殊照明應(yīng)用等。通過(guò)把電子、光學(xué)、機(jī)械和熱能管理等各個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)相結(jié)合,GELcore 加快了LED 技術(shù)的應(yīng)用并創(chuàng)造了世界級(jí)的LED 系統(tǒng)。另外,
2007年2月7日,原由GE和Emcore合資成立的公司GELcore現(xiàn)已改名為L(zhǎng)umination。GE(通用)在2006年8月末以現(xiàn)金1億美元購(gòu)買(mǎi)Emcore所持的GELcore股份,將GELcore變?yōu)槠淙Y子公司,從那時(shí)起,GELcore一直努力表現(xiàn)得與以往不同,并與日亞(Nichia)形成戰(zhàn)略聯(lián)盟。為進(jìn)一步表明公司對(duì)通用LED照明的倚重,GELcore將名字改為L(zhǎng)umination。
大洋日酸
隨著2005年的結(jié)束，中國(guó)第10個(gè)五年規(guī)劃(2000―2005年)也進(jìn)入尾聲，取而代之的十一五規(guī)劃于10月正式出爐，并在3月的中國(guó)人大會(huì)議中列入討論，關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)惠政策也已列入國(guó)務(wù)院2006年立法計(jì)劃，未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展，將值得大家仔細(xì)去觀察分析。
回顧中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步甚早，早在50年代末期的二五計(jì)劃時(shí)期(1958―1962年)中國(guó)政府就開(kāi)始關(guān)注半導(dǎo)體技術(shù)。并首次將半導(dǎo)體技術(shù)納入中國(guó)必須發(fā)展的新興技術(shù)之一，但是由于當(dāng)時(shí)的政策核心以發(fā)展航空工業(yè)及核工業(yè)為主，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只是點(diǎn)綴性質(zhì)，因此沒(méi)有實(shí)際的進(jìn)展。在渡過(guò)了二五、三五及五五幾個(gè)階段后．中國(guó)政府開(kāi)始正視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性，并決定全力扶持．加快中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的腳步，因此自1981年開(kāi)始中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可分為以下幾個(gè)階段。
(一)80年代(1981―1990年，六五及七五計(jì)劃)
在此階段中國(guó)政府開(kāi)始正視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并在七五計(jì)劃中提出IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展概念，為了落實(shí)七五計(jì)劃，1986年中國(guó)國(guó)務(wù)院第122次常務(wù)會(huì)議決定對(duì)，C路等4種電子產(chǎn)品實(shí)行4項(xiàng)優(yōu)惠措施．分別為：(1)以IC銷(xiāo)售額10％為限額，提列資金用于技術(shù)與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)；(2)重大技術(shù)改造項(xiàng)目，經(jīng)批準(zhǔn)進(jìn)口的設(shè)備、儀器、零件．免征進(jìn)口關(guān)稅；(3)企業(yè)免征產(chǎn)品增值稅和減半征收企業(yè)所得稅；(4)每年中國(guó)電子發(fā)展基金給予財(cái)政支持，用于支持集成電路等電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。
除實(shí)行4項(xiàng)優(yōu)惠措施外，中國(guó)政府還開(kāi)放自國(guó)外引進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備外，并帶進(jìn)半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)、軟件乃至外資及其管理方法．并陸續(xù)出現(xiàn)了華晶4英寸廠、上海先進(jìn)、上海貝嶺等半導(dǎo)體企業(yè)，正式啟動(dòng)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
(二)八五，九五計(jì)劃(1991―2000年)的“908”“909”專(zhuān)項(xiàng)工程
在經(jīng)過(guò)六五及七五計(jì)劃的發(fā)展后，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)出現(xiàn)上海先進(jìn)、上海貝嶺等企業(yè)，在80年代末期中國(guó)政府再根據(jù)1989年計(jì)委會(huì)公布的“半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略”進(jìn)行規(guī)劃．訂定出“908”專(zhuān)項(xiàng)工程。
“908”專(zhuān)項(xiàng)工程算是中國(guó)第一項(xiàng)，c發(fā)展工程，也是中國(guó)第一次有明確的IC產(chǎn)業(yè)政策及發(fā)展目標(biāo)，目標(biāo)是建立一條6英寸生產(chǎn)線．重點(diǎn)扶持中國(guó)現(xiàn)有的五大，C制造企業(yè)一上海先進(jìn)、首網(wǎng)日電、上海貝嶺、中國(guó)華晶及紹興華越．并積極引進(jìn)外來(lái)資金與技術(shù)來(lái)改善中國(guó)本土晶圓廠的生產(chǎn)實(shí)力，其中華晶即是自朗訊引進(jìn)的0．9 μm6英寸晶圓生產(chǎn)線。根據(jù)中國(guó)政府的規(guī)劃，是期望透過(guò)“908”專(zhuān)項(xiàng)工程來(lái)改善中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，由過(guò)去的IDM模式，向垂直專(zhuān)業(yè)分工模式轉(zhuǎn)變。
雖然中國(guó)政府在八五計(jì)劃中推出“908”專(zhuān)項(xiàng)工程，并建立了一條6英寸生產(chǎn)線及五大匯制造企業(yè)，但中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依舊嚴(yán)重落后于國(guó)外；有鑒于此，1995年11月中國(guó)原電子部向國(guó)務(wù)院提交了《關(guān)于九五期間加快中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的報(bào)告》，并在中央政府的支持下，1996年3月業(yè)界俗稱的“909”工程正式成立。
“909”工程總投資40億人民幣(1996年國(guó)務(wù)院決定由中央財(cái)政再增加撥款1億美元)，由國(guó)務(wù)院和上海市財(cái)政按6：4出資撥款；除延續(xù)過(guò)去對(duì)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支持外，更以建設(shè)大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線的主要發(fā)展標(biāo)的．主要是規(guī)劃從事代工的8英寸晶圓廠，及與此8英寸廠配套的IC設(shè)計(jì)公司與晶圓材料生產(chǎn)線。
在“909”工程中．首先于1996年由上海華虹微電子，與日本NEC公司合資成立上海華虹NEC．并陸續(xù)成立一系列基于此的產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司，包括上海虹日國(guó)際、上海華虹國(guó)際、北京華虹集成電路設(shè)計(jì)公司等。而華虹NEC也克服了華晶?年漫長(zhǎng)建廠的悲劇．于1997年7月31日開(kāi)工動(dòng)土，1999年2月完工并開(kāi)始投產(chǎn)，2000年?duì)I收達(dá)30.15億元人民幣，并順利獲利5．16億元人民幣，雖然來(lái)年就出現(xiàn)13.84億元的虧損，但以當(dāng)時(shí)九五計(jì)劃來(lái)看，華虹NEC仍是成功的發(fā)展項(xiàng)目。
(三)十五計(jì)劃(2001―2005年)
雖然中國(guó)過(guò)去的經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)速度驚人，但在被稱為“工業(yè)之米”的半導(dǎo)體發(fā)展上，卻顯得十分落后，除在晶圓廠方面多半是5英寸及6英寸廠為主外，其國(guó)內(nèi)所產(chǎn)制的芯片僅能供應(yīng)國(guó)內(nèi)所需的7．5％，顯示中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)與國(guó)際水準(zhǔn)的落差相當(dāng)?shù)拇?；為此中?guó)政府針對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，在十五計(jì)劃做了更詳盡的規(guī)劃。
在十五計(jì)劃期間，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方針是從IC設(shè)計(jì)業(yè)切入，并以，C制造業(yè)作為發(fā)展重點(diǎn)，繼而帶動(dòng)封測(cè)。支持產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；在產(chǎn)業(yè)布局方面，則期望完成長(zhǎng)江三角洲、京津環(huán)渤海地區(qū)及珠江三角洲三大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域，并支持西部地區(qū)發(fā)展封裝產(chǎn)業(yè)；至于重點(diǎn)扶持產(chǎn)品則選擇量大面廣的產(chǎn)品，其中首要發(fā)展的IC卡、通信IC、數(shù)字影音視頻IC等。
另外中國(guó)政府亦頒布了“18號(hào)文件”，從稅收．投融資、進(jìn)出口、人才等方面提供優(yōu)惠措施，成為中國(guó)第一個(gè)關(guān)于發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)的綜合性文件；并給予租稅的優(yōu)惠(在附加價(jià)值稅17％中．IC設(shè)計(jì)給予14％的減免．其它IC廠商則減免11％)外，也提供半導(dǎo)體廠商相當(dāng)良好的環(huán)境，以吸引國(guó)際大廠進(jìn)駐。
在中國(guó)政府大力的推廣下，中國(guó)大陸地區(qū)IC產(chǎn)業(yè)在十五期間出現(xiàn)了，無(wú)論在設(shè)計(jì)及制造方面，都有較過(guò)去5.6倍甚至10倍以上的成長(zhǎng)，在晶圓代工方面更創(chuàng)造出中芯國(guó)際。華虹NEC、和艦等世界級(jí)廠商，并成為僅次于臺(tái)灣地區(qū)的全球第二大晶圓代工市場(chǎng)；而中國(guó)也在2005年順利超越美國(guó)及日本．成為全球第一大的區(qū)域性半導(dǎo)體市場(chǎng)。針對(duì)如此重要的十五計(jì)劃，在下一段將針對(duì)其發(fā)展策略、目標(biāo)。方向及成效做更詳盡的說(shuō)明。
“十五計(jì)劃”的具體成效
十五計(jì)劃算是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展以來(lái)推動(dòng)的最成功的一項(xiàng)計(jì)劃，在計(jì)劃結(jié)束的2005年，中國(guó)已躍升為全球最大區(qū)域性半導(dǎo)體市場(chǎng)，整體市場(chǎng)規(guī)模為4．534．8億元人民幣，較2004年成長(zhǎng)28．4％，優(yōu)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的6．8％成長(zhǎng)率，其中，C市場(chǎng)規(guī)模達(dá)3，803．7億元人民幣，較2004年成長(zhǎng)30．8％，占整體半導(dǎo)體市場(chǎng)比重在83．9％以上。
在產(chǎn)量的表現(xiàn)上，2005年中國(guó)IC產(chǎn)量為265．78億塊，成長(zhǎng)25．68％，銷(xiāo)售額超過(guò)800億元人民幣，完全達(dá)成十五計(jì)劃的發(fā)展目標(biāo)。至于在IC產(chǎn)值方面，2005年中國(guó)，c產(chǎn)值達(dá)到702．1億元人民幣，成長(zhǎng)28．8％，自2001―2005年的5 年間，中國(guó)IC產(chǎn)量及產(chǎn)值年均成長(zhǎng)都超過(guò)30％；不過(guò)值得注意的是，雖然中國(guó)已成為全球最大的區(qū)域性半導(dǎo)體市場(chǎng)，但大部份仰賴的是進(jìn)口，比重超過(guò)80％，中國(guó)本土IC產(chǎn)量及營(yíng)收仍舊偏低。
而在中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)方面，IC設(shè)計(jì)業(yè)扮演的角色快速提升，占IC總產(chǎn)值比重也逐年增加，2002年時(shí)比重僅有8％，至2004年已提升至14.9％．2005年更達(dá)到17．7％：IC制造業(yè)則受到全球Foundry市場(chǎng)低迷及芯片代工價(jià)格持續(xù)下滑的沖擊．加上2005年新產(chǎn)能擴(kuò)張的貢獻(xiàn)度大幅減弱，影響中國(guó)本土IC制造業(yè)廠商的表現(xiàn)，成長(zhǎng)率自2004年的190％大幅下滑至僅成長(zhǎng)28，5％，為232．9億元人民幣，不過(guò)在市場(chǎng)比重方面，則順利突破3成至33．2％。
至于過(guò)去執(zhí)掌中國(guó)本土IC市場(chǎng)牛耳的IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)，2005年依舊維持穩(wěn)定的成長(zhǎng)表現(xiàn)，營(yíng)收為344．9億元人民幣，較2004年成長(zhǎng)22．1％．但其占中國(guó)本土IC市場(chǎng)比重僅49 1％，首次跌破5成。
IC設(shè)計(jì)
中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)近三年來(lái)的產(chǎn)值表現(xiàn)非常驚人，受惠于中國(guó)本土IC設(shè)計(jì)業(yè)者在產(chǎn)品創(chuàng)新上取得了重大進(jìn)展，如重郵信科成功開(kāi)發(fā)出中國(guó)第一顆0．13微米制程的TD-SCDMA芯片“通信一號(hào)”、凱明推出采90納米制程的第二代TD-SCDMA／GSM雙模芯片“火星”，加上新崛起業(yè)者如珠海炬力、中星微電子順利至美國(guó)IPO上市，帶動(dòng)2005年中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收首次突破百億元大關(guān)，達(dá)到124．3億元人民幣，較2004年成長(zhǎng)52．5％，更自自2002年的21.6億元人民幣．成長(zhǎng)6倍以上，2002年至2005年的年均成長(zhǎng)率更高達(dá)79．2％，其占整體市場(chǎng)比重也成長(zhǎng)至17．7％。
中國(guó)政府于2000年―2002年間陸續(xù)成立了7個(gè)國(guó)家級(jí)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)基地，分別為上海、北京、無(wú)錫，杭州、深圳、西安及成都，近年來(lái)在中央及地方政府的大力推廣下，已逐步形成幾個(gè)主要的產(chǎn)業(yè)聚落，其中主要集中在以上海為中心的長(zhǎng)三角地區(qū)。及北京為中心的京津環(huán)渤海灣地區(qū)，前者囊括了中國(guó)近5成的，C設(shè)計(jì)業(yè)者，后者則擁有近120家IC設(shè)計(jì)業(yè)者，除了這兩個(gè)區(qū)域外．深圳則是中國(guó)最大的，C設(shè)計(jì)城市，已連續(xù)幾年在產(chǎn)值上遙遙領(lǐng)先其它地區(qū)。
目前中國(guó)IC設(shè)計(jì)企業(yè)數(shù)約479家，較2004年的421家又增加了50幾家，而50人以下的中小企業(yè)仍占大部份，比重超過(guò)6成，其中員工人數(shù)在20人以下的企業(yè)數(shù)有171家．比重約35．7％，而員工人數(shù)超過(guò)百人的企業(yè)家數(shù)則不到50家．比重僅9．4％，顯示出中國(guó)IC設(shè)計(jì)企業(yè)的規(guī)模仍小。在設(shè)計(jì)能力上中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)者也大幅提升，目前已有超過(guò)5成的業(yè)者平均設(shè)計(jì)能力在0．18μm(含)以下．其中大部份業(yè)者的平均設(shè)計(jì)能力已達(dá)到0．18μm，比重約41．2％，其次則為0．25μm級(jí)，比重約21．4％；值得注意的是，具備0．13μm及以下設(shè)計(jì)能力業(yè)者比重已突破1成．約為10．5％，較2004年的6％大幅成長(zhǎng)。
至于廠商排名方面，2005年中國(guó)前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者排名有了與過(guò)去不同的變化，最受人矚目的是海歸派企業(yè)的崛起，其中在2003年及2004年位居排行榜前兩大的大唐微電子及杭州士蘭微電子．2005年排名跌落到第四及五名，取而代之的是珠海炬力集成電路及北京中星微電子，這兩家業(yè)者在2004年崛起，當(dāng)年度營(yíng)收成長(zhǎng)率分別為900％及162％，2005年更以12．57億元人民幣及7．68億元人民幣榮登中國(guó)前兩大IC設(shè)計(jì)業(yè)者寶座，出乎各界的意外。
重要的是，2005年中國(guó)IC設(shè)計(jì)中營(yíng)收超過(guò)億元人民幣的企業(yè)家數(shù)已超過(guò)20家．為九五計(jì)劃結(jié)束時(shí)的5倍之多，其中新龍頭老大一珠海炬力，其2005年?duì)I收更突破10億元大關(guān)，來(lái)到12．57億元人民幣．成為中國(guó)第一家營(yíng)收突破億美元關(guān)卡的企業(yè)；而珠海炬力及中星微電子于2005年11月相繼赴美IPO上市，也為中國(guó)lC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了新的里程碑。
IC制造
自2002年以來(lái)，隨著中芯國(guó)際、宏力半導(dǎo)體、和艦科技、上海先進(jìn)等數(shù)個(gè)8英寸晶圓生產(chǎn)線的陸續(xù)建成投產(chǎn)，中國(guó)lC制造業(yè)快速的擴(kuò)大，特別是在2004年．在全球IC市場(chǎng)產(chǎn)能吃緊的情況下，中國(guó)務(wù)晶圓生產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率始終處于90％以上的高水平，代工價(jià)格也隨之攀升。在這些因素的帶動(dòng)下，2004年中國(guó)IC制造產(chǎn)值成長(zhǎng)率高達(dá)190％，為歷年之最。
進(jìn)入2005年，受到全球Foundry市場(chǎng)低迷的影響，中國(guó)IC制造企業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)率大幅回落，部份企業(yè)甚至出現(xiàn)負(fù)成長(zhǎng)；與此同時(shí)，2000年以來(lái)的新建項(xiàng)目在2004年均已建成投產(chǎn)，2005年產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)晶圓制造業(yè)規(guī)模成長(zhǎng)的貢獻(xiàn)度大大降低；2005年中國(guó)IC制造業(yè)產(chǎn)值成長(zhǎng)率雖僅28．5％，但卻順利突破200億元關(guān)卡，達(dá)到232．89億元人民幣。
在晶圓廠及制程技術(shù)的發(fā)展上，至2005年底中國(guó)共有15座4英寸廠、8座5英寸廠、17座6英寸廠、15座8英寸廠及2座12英寸廠．其中8英寸廠以中芯國(guó)際為主，其它如華虹NEC、上海先進(jìn)、宏力半導(dǎo)體、和艦科技都各自擁有8英寸廠；至于12英寸廠則是中芯國(guó)際于北京投資的Fab4及Fab5，其中Fab4已于2004年投片，至2005年底月產(chǎn)能已達(dá)2．7萬(wàn)片，制程技術(shù)也達(dá)到0．11μm。
值得注意的是，2004年中國(guó)大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)19．25億美元規(guī)模，較2003年成長(zhǎng)155．6％，占全球比重由2003年的6．57％、大幅躍升到11．53％．成為僅次于臺(tái)灣地區(qū)120．22億美元的第二大晶圓代工市場(chǎng)；2005年?duì)I收再提升至24億美元，占全球比重也提升至13％。更重要的是，中芯國(guó)際成功擠下新加坡的特許半導(dǎo)體，以市占率7％躍居全球晶圓代工排名第三位，而中國(guó)晶圓代工廠商在全球20大中也共有5家企業(yè)入榜。
IC封測(cè)
與IC設(shè)計(jì)及IC制造業(yè)的高速發(fā)展相比，中國(guó)IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)在近幾年一直呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，2005年新建項(xiàng)目建成投產(chǎn)的帶動(dòng)下成長(zhǎng)率微幅上漲，2005年產(chǎn)值超過(guò)300億元，達(dá)344．91億元人民幣，較2004年成長(zhǎng)22．1％。
目前中國(guó)IC封裝企業(yè)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)明顯的內(nèi)外資差別，前10大企業(yè)中僅江蘇長(zhǎng)電一家本土企業(yè)入榜．不過(guò)年封裝能力過(guò)億塊的企業(yè)已有9家，其中江蘇長(zhǎng)電年封裝能力已達(dá)到20億塊以上；在技術(shù)方面，主要仍以低階的DIP、QFP、SOP等傳統(tǒng)封裝形為主，不過(guò)江蘇長(zhǎng)電已開(kāi)始朝CSP等級(jí)邁進(jìn)。
分析中國(guó)半導(dǎo)體快速成長(zhǎng)的原因產(chǎn)業(yè)優(yōu)惠政策的支持
中國(guó)政府自1990年代的“908”及“909工程”開(kāi)始，就將IC訂定為國(guó)家發(fā)展的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，不惜投入龐大的資金進(jìn)行支持；到了十五時(shí)期，更是大力的發(fā)展匯產(chǎn)業(yè)，包括“18號(hào)文件”頒布就給予IC企業(yè)相當(dāng)大的政策及稅賦優(yōu)惠。
國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求持續(xù)成長(zhǎng)
近年來(lái)NB、數(shù)字相機(jī)、PC、LCD顯示器等信息產(chǎn)品廠房陸續(xù)大規(guī)模的向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)已成為全球最大的信息產(chǎn)品生產(chǎn)基地，根據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)，2005年中國(guó)計(jì)算機(jī)類(lèi)產(chǎn)品出口額首次突破千億大關(guān)，達(dá)1，048．4億美元，占全國(guó)外貿(mào)出口總額比重也自十五計(jì)劃之初2001年的7．9％提高到13．7％，預(yù)期未來(lái)中國(guó)信息產(chǎn)品的產(chǎn)量仍將大幅成長(zhǎng)，加上消費(fèi)電子及通信產(chǎn)品市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)大，可望帶動(dòng)中國(guó)國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)品需求持續(xù)成長(zhǎng)。
產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力大幅提升
過(guò)去中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)給人的印象普遍是技術(shù)實(shí)力的不足，此一情況在近年已有所改善。自2005年以來(lái)中國(guó)IC設(shè)計(jì)在產(chǎn)品創(chuàng)新上就取得了多項(xiàng)進(jìn)展，包括重郵信科開(kāi)發(fā)出中國(guó)第一顆0．13μm制程技術(shù)的TD-SCDMA手機(jī)核心芯片一一“通信一號(hào)”；凱明信息則推出采用90μm技術(shù)的第二代TD-SCDMA／GSM／GPRS雙模及多媒體應(yīng)用芯片――“火星”；青島海信開(kāi)發(fā)出中國(guó)第一款具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的數(shù)字音視頻芯片――“信芯”；中科技計(jì)算所開(kāi)發(fā)出中國(guó)第一款A(yù)VS芯片――“鳳芯1&2號(hào)”等，這些都顯示出中國(guó)在3G通信、數(shù)字音頻芯片等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)能力已大幅提升。
國(guó)際半導(dǎo)體大廠到華投資熱潮不斷
隨著近年來(lái)中國(guó)市場(chǎng)的陸續(xù)開(kāi)放，其低廉勞力成本、地方政府優(yōu)惠及龐大后盾市場(chǎng)等誘因吸引著國(guó)際大廠前往投資，并于當(dāng)?shù)卦O(shè)立研發(fā)中心、晶圓廠或封裝廠房等，其中尤以封裝測(cè)試廠為甚。以近兩年的投資為例．AMD就投資1億美元于蘇州設(shè)立微處理器封裝測(cè)試廠，并于2005年順利投產(chǎn)；Intel于2003年宣布的成都封裝廠一期工程也于2005年12月落成啟用．將主要負(fù)責(zé)其自家產(chǎn)品P4 CPU的覆晶封測(cè)，第二期投資備忘錄也已在2005年3月簽訂，預(yù)計(jì)于2007年投產(chǎn)，合計(jì)投資額4．5億美元；至于早在深圳布局的STMicro，2006年2月亦宣布投入5億美元．在深圳龍崗寶龍工業(yè)區(qū)興建新的IC封測(cè)廠．有別于之前合資的深圳賽意法微電子．此為STMicro完全獨(dú)資，計(jì)劃年內(nèi)動(dòng)工，建成后年產(chǎn)量70億塊。
除了IC封測(cè)領(lǐng)域外，在IC制造方面也受到國(guó)際大廠的厚愛(ài)，其中由韓國(guó)Hynix與STMicro合作的無(wú)錫8英寸晶圓廠項(xiàng)目，已于2005年9月順利獲得中國(guó)工商銀行7．5億美元銀行聯(lián)貸．預(yù)計(jì)2006年第一季試產(chǎn)，第二季開(kāi)始量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能1．8萬(wàn)片，產(chǎn)品以DRAM為主：另外美國(guó)0C制造商AERO科技也在2006年2月與中國(guó)合肥高新區(qū)簽訂協(xié)議，將在合肥投資10億美元分三期建設(shè)6英寸及8英寸晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能分別為4萬(wàn)片。
產(chǎn)學(xué)合作及人才培養(yǎng)成效浮現(xiàn)
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是知識(shí)密集型的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，相對(duì)的對(duì)于高水平技術(shù)人才的需求非常大，之前中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍面臨人才匱乏的問(wèn)題，僅能從其它或臺(tái)資企業(yè)挖角，不過(guò)近年來(lái)此情況已有所改變。2003年中國(guó)國(guó)務(wù)院科技領(lǐng)導(dǎo)小組推行了“國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地計(jì)劃”，并批準(zhǔn)9所大學(xué)為首批人才培養(yǎng)基地，2004年8月再批準(zhǔn)6所高校的加入，國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地初步形成， 目標(biāo)是在6―8年內(nèi)培養(yǎng)出4萬(wàn)名IC設(shè)計(jì)人才及1萬(wàn)名相關(guān)制造技術(shù)人才，目前此效益已慢慢浮現(xiàn)。
十一五規(guī)劃的半導(dǎo)體政策及發(fā)展目標(biāo)
隨著18號(hào)文件的取消及十的。有關(guān)半導(dǎo)體優(yōu)惠政策已列入國(guó)務(wù)院2006年立法計(jì)劃，并將在人大會(huì)議中討論，其中扶持本土大企業(yè)、提高自主研發(fā)創(chuàng)新實(shí)力為首要目標(biāo)，另外并將投資3．000億元人民幣在，C設(shè)計(jì)及制造產(chǎn)業(yè)上，持續(xù)重點(diǎn)發(fā)展設(shè)計(jì)及制造(晶圓代工)產(chǎn)業(yè)，其中，c設(shè)計(jì)將重點(diǎn)發(fā)展5家30～50億元級(jí)企業(yè)及10家10～30億元級(jí)廠商，制造方面則全力布建10座8英寸晶圓廠及5座12英寸晶圓廠。
另外在租稅優(yōu)惠方面也將有所著墨，除地方政府外，未來(lái)重點(diǎn)方向?qū)⒎旁谒枚惖膬?yōu)惠上，將原來(lái)的兩免三減半提高為五免五減半(五年免稅五年收一半稅)或十年全免，雖然短期內(nèi)其效應(yīng)并無(wú)法顯現(xiàn)，但卻有利于國(guó)內(nèi)外資本投入中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
另外就在中。美雙方因18號(hào)文件中增值稅問(wèn)題簽署諒解備忘錄，由中國(guó)財(cái)政部、國(guó)家發(fā)改委及信息產(chǎn)業(yè)部共同制訂的《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專(zhuān)項(xiàng)資金管理暫定辦法》正式出爐，其中成立了一近30億元人民幣的研發(fā)基金．并決定自4月23日開(kāi)始實(shí)施，此基金的相關(guān)內(nèi)容如下：
成立宗旨：提高中國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)能力及產(chǎn)業(yè)化水平。以加快技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)力，并促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作。培養(yǎng)及獎(jiǎng)勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)秀人才。
申報(bào)條件：根據(jù)此一基金的規(guī)定。只要在中國(guó)境內(nèi)注冊(cè)，具有獨(dú)立法人資格。經(jīng)主管單位認(rèn)定的半導(dǎo)體企業(yè)，并有符合申報(bào)指南要求的研發(fā)活動(dòng)方案，具備所申報(bào)研發(fā)活動(dòng)的能力、內(nèi)部管理及財(cái)務(wù)制度健全皆可提出申請(qǐng)。
基金發(fā)放方式；將以無(wú)償資助方式發(fā)放，其資助金額不超過(guò)該研發(fā)活動(dòng)成本的50％。
值得注意的是，此半導(dǎo)體研發(fā)基金并不局限于半導(dǎo)體專(zhuān)用儀器。設(shè)備費(fèi)及材料費(fèi)上，只要是能提高研發(fā)能力的半導(dǎo)體相關(guān)方案，即便是人才的培養(yǎng)、引進(jìn)及獎(jiǎng)勵(lì)等人事費(fèi)也在補(bǔ)助范圍之內(nèi)。至于企業(yè)是否合格的認(rèn)定工作將于發(fā)改委及信息產(chǎn)業(yè)部共同分擔(dān)：其中發(fā)改委負(fù)責(zé)IC制造及封測(cè)業(yè)，信息產(chǎn)業(yè)部則負(fù)責(zé)IC設(shè)計(jì)企業(yè)，至于財(cái)政部則對(duì)發(fā)放基金的總量進(jìn)行控制。
結(jié)語(yǔ)：十一五期間中國(guó)IC市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率在2成以上
Best Buy Co.首席執(zhí)行官Brad Anderson表示，為了用儲(chǔ)存容量更大的新型光盤(pán)取代DVD技術(shù)，現(xiàn)已引發(fā)了兩種主要格式之爭(zhēng)，隨之而來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)兩大陣營(yíng)內(nèi)的公司以及用戶都將非常不利?！靶袠I(yè)內(nèi)沒(méi)有一種標(biāo)準(zhǔn)格式，這給行業(yè)自身帶來(lái)的損害是不可估量的?！?Brad說(shuō)，“兩種無(wú)法兼容的格式對(duì)消費(fèi)者來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一個(gè)惡夢(mèng)?！?/p>
藍(lán)光、HD-DVD與普通的DVD光盤(pán)在存儲(chǔ)容量上的區(qū)別是巨大的。盡管這兩種新的格式都有不少優(yōu)點(diǎn)，但是支持它們的公司卻無(wú)法對(duì)統(tǒng)一的格式標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成一致，雙方都擺出一副讓消費(fèi)者決定孰輸孰贏的態(tài)勢(shì)，就像上個(gè)世紀(jì)八十年代VHS和Betamax之間的錄影機(jī)之爭(zhēng)一樣。
2005年，贏家與輸家
2005年，對(duì)于IT行業(yè)而言，無(wú)盡的紛爭(zhēng)和變數(shù)充斥其間，是好是壞，我們都不能枉下定論。PC World讓業(yè)界專(zhuān)家評(píng)選出了本年度的贏家和輸家。
Google是其中的一個(gè)贏家，在2005年，無(wú)論你需要一個(gè)巨大的免費(fèi)郵件賬戶、博客、衛(wèi)星地圖還是檢索圖書(shū)，Google都可以提供強(qiáng)大的支持，它提供了一個(gè)幾乎無(wú)所不能的海量數(shù)據(jù)庫(kù)。但Google同時(shí)也是一個(gè)輸家，作為擁有強(qiáng)大計(jì)算能力、智力資源和雄厚資金的企業(yè)，它的發(fā)展開(kāi)始受到阻礙，例如，它被美國(guó)出版人聯(lián)盟，并被黑客當(dāng)作工具。Google似乎在自己涉足的每一個(gè)領(lǐng)域都充滿了野心，并希望成為壟斷巨頭――這曾經(jīng)被稱為“微軟綜合癥”，并讓很多人感到威脅。
芯片行業(yè)跨入后硅時(shí)代？
在日前的國(guó)際半導(dǎo)體路線圖報(bào)告中，預(yù)測(cè)芯片行業(yè)將會(huì)跨入“后硅時(shí)代”，這份報(bào)告是由歐洲、日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣省以及美國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)共同參與編寫(xiě)而成的，被視作為半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。
這幾年，半導(dǎo)體行業(yè)不斷找到將傳統(tǒng)晶體管變得更小的方法，這樣就可以在一個(gè)芯片上放入更多晶體管，從而增加處理能力和容量。目前，最小的晶體管只是一把分子束，研究人員正在用除硅之外的其它材質(zhì)（包括有機(jī)分子和碳納米管）做實(shí)驗(yàn)，試圖找到更合適的替代物。專(zhuān)家預(yù)測(cè)，芯片行業(yè)過(guò)渡到新納米技術(shù)的時(shí)間大約在2015年，那時(shí)芯片制造商將會(huì)竭盡全力縮小計(jì)算機(jī)、通訊以及消費(fèi)者電子行業(yè)的處理器、存儲(chǔ)設(shè)備線纜的尺寸。
ISMI稱：芯片產(chǎn)業(yè)能源浪費(fèi)嚴(yán)重
【關(guān)鍵詞】 中國(guó)芯片代工;競(jìng)爭(zhēng)力;戰(zhàn)略;可持續(xù)發(fā)展
芯片技術(shù)能力不僅與各國(guó)經(jīng)濟(jì)強(qiáng)弱有關(guān),亦具有科技戰(zhàn)略之重大意義。在此背景下各國(guó)政府紛紛采取措施鼓勵(lì)和扶持國(guó)內(nèi)芯片制造行業(yè),國(guó)內(nèi)政府也以各種稅收相關(guān)優(yōu)惠措施鼓勵(lì)國(guó)外芯片制造產(chǎn)業(yè)至中國(guó)設(shè)廠投資,中芯國(guó)際及宏力半導(dǎo)體等芯片制造業(yè)就是在此一背景下成立。目前,芯片代工中巨頭以中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積集成電路及聯(lián)華電子各占前二名,中芯,特許排名其后,由于競(jìng)爭(zhēng)激烈除了中國(guó)臺(tái)積電或聯(lián)華電子有盈利外,其他公司皆處于虧損狀態(tài)。行業(yè)年成長(zhǎng)率也由20%降低到目前6～8%,此產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)可以說(shuō)已進(jìn)入成熟產(chǎn)業(yè)。
一、中國(guó)芯片代工業(yè)五種競(jìng)爭(zhēng)力模型分析
哈佛商學(xué)院的邁克爾?波特教授充分證明了一個(gè)行業(yè)中的五種競(jìng)爭(zhēng)力量決定了一個(gè)行業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)狀況,中國(guó)芯片代工產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度及產(chǎn)業(yè)吸引力也受此五力所影響。分析如下:
(一)潛在入侵者
芯片代工產(chǎn)業(yè)是資金及技術(shù)密集型的產(chǎn)業(yè),需要足夠?qū)I(yè)的人才相當(dāng)一段時(shí)間的學(xué)習(xí)及經(jīng)驗(yàn)曲線效應(yīng),產(chǎn)出較佳良率芯片及良好的客戶關(guān)系和信任度,這些構(gòu)成了潛在新進(jìn)入者的進(jìn)入障礙。近年來(lái),由于新的芯片12廠投資金額動(dòng)輒數(shù)十億美金且原有的生產(chǎn)廠商擁有的專(zhuān)利壁壘,小型的芯片代工廠商已不可能進(jìn)入此行業(yè),唯有元件大廠如三星等在景氣不佳時(shí)進(jìn)入芯片代工市場(chǎng),景氣好時(shí),元件利潤(rùn)高時(shí)又回到元件制造,不構(gòu)成較大威脅。除了近日成立的擁有相當(dāng)資金及原有技術(shù)的Global foundry尚待觀察,其他較小型公司不構(gòu)成較大威脅。
(二)供應(yīng)商
芯片制造行業(yè)供應(yīng)商可以分為二類(lèi):一為設(shè)備供應(yīng)商和芯片廠運(yùn)營(yíng)過(guò)程供應(yīng)商如硅片,化學(xué)品,特氣,設(shè)備零件等,其中設(shè)備成本約占一個(gè)芯片廠的80%左右,另一類(lèi)為芯片廠運(yùn)營(yíng)過(guò)程的硅片,化學(xué)品,特氣,設(shè)備零件的供應(yīng)商。由于芯片制造技術(shù)及技術(shù)資本越來(lái)越巨大,能夠投入芯片廠的企業(yè)越來(lái)越少,設(shè)備商及供應(yīng)商客戶呈現(xiàn)幾個(gè)巨頭壟斷情形且技術(shù)事業(yè)性極高及投入資本大的因素,設(shè)備商及供應(yīng)商前向一體化及后的一體化的可能性越小?？傮w而言,設(shè)備供應(yīng)商的討價(jià)還價(jià)的競(jìng)爭(zhēng)壓力對(duì)于芯片廠而言已逐漸在縮小。
(三)顧客
芯片代工廠的顧客一般分為IC設(shè)計(jì)公司及IDM元件大廠,集中度較高,但產(chǎn)品屬于定制化性質(zhì),標(biāo)準(zhǔn)化程度低,芯片代工廠必須在時(shí)效,成本,滿足顧客的需求,顧客可選擇范圍較少,由于代工產(chǎn)出時(shí)間長(zhǎng),其轉(zhuǎn)向其他代工廠的轉(zhuǎn)換成本高。 總體而言,由于目前芯片代工行業(yè)已邁入成熟行業(yè),競(jìng)爭(zhēng)激烈而PC,通訊等產(chǎn)業(yè)任未有較大的殺手及應(yīng)用出現(xiàn),芯片制造技術(shù)不斷精進(jìn),由8進(jìn)展到12甚至16的硅片,芯片產(chǎn)出不段擴(kuò)大,造成現(xiàn)在產(chǎn)能過(guò)剩情況,顧客討價(jià)還價(jià)的壓力對(duì)芯片代工企業(yè)越來(lái)越大。
(四)替代品
部分芯片工藝如手機(jī)高頻通訊芯片需用砷化鎵材料而非硅材,但此一部分占芯片代工產(chǎn)值較少,替代品競(jìng)爭(zhēng)力量對(duì)硅材為主流的芯片代工廠而言較小。
(五)行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)者
1.競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?jǐn)?shù)量及能力比較。芯片代工廠前幾大分別為臺(tái)積電,聯(lián)電,特許,都可算是國(guó)際級(jí)大企業(yè),其積電占據(jù)了近百分之五十市場(chǎng)份額,中國(guó)芯片代工企業(yè)不論在市場(chǎng)占有率,利潤(rùn)率,技術(shù)都無(wú)法與之匹敵。
2.市場(chǎng)增長(zhǎng)率。芯片代工業(yè)已進(jìn)入成熟行業(yè),年增長(zhǎng)率已由過(guò)去20%降至6～8%,在這種情況下,企業(yè)為了尋求發(fā)展,在市場(chǎng)占有率,價(jià)格和成本進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng),其結(jié)果就使競(jìng)爭(zhēng)力弱和效率比較低下生存異常辛苦。
3.固定成本及庫(kù)存成本。芯片代工行業(yè),主要成本在于設(shè)備的固定成本,固定成本高的因素造成行業(yè)中企業(yè)降低芯片代工價(jià)格以提高設(shè)備利用率,也造成利潤(rùn)下降。另外,由于芯片市場(chǎng)以舊換新甚快的特性,企業(yè)為了盡快銷(xiāo)售回收成本和庫(kù)存,也不得不采取降價(jià)行為,結(jié)果企業(yè)獲利也大大降低。
4.生產(chǎn)能力。芯片行業(yè)固定成本高,在規(guī)模經(jīng)濟(jì)降低單位成本的驅(qū)動(dòng)力下,企業(yè)不段擴(kuò)大其生產(chǎn)能力以及提高資本支出,芯片代工行業(yè)出現(xiàn)了生產(chǎn)能力過(guò)剩與削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的周期循環(huán)。
5.退出障礙高。芯片代工行業(yè)導(dǎo)致退出障礙高,如資金技術(shù)密集型的產(chǎn)業(yè)特性,特殊的生產(chǎn)設(shè)備,大量的專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)及技術(shù)人才的就業(yè)壓力,使得芯片代工業(yè)過(guò)剩的生產(chǎn)能力和競(jìng)爭(zhēng)力較差的企業(yè),無(wú)法放棄經(jīng)營(yíng),使得整個(gè)行業(yè)的獲利能力維持在較低水平。
二、SWOT分析
1.主要優(yōu)勢(shì)(S)。(1)中國(guó)有大量技術(shù)人才,低成本,人力多。(2)政府部門(mén)關(guān)系融洽。(3)中高層來(lái)自歐美臺(tái)國(guó)際知名企業(yè)的高素質(zhì)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)。
2.主要劣勢(shì)(W)。(1)公司基層員工大都沒(méi)有半導(dǎo)體從業(yè)經(jīng)驗(yàn),需要培訓(xùn)后才有生產(chǎn)力。(2)中國(guó)企業(yè)的技術(shù)發(fā)展仍遠(yuǎn)落后其他國(guó)外公司。(3)目前市場(chǎng)不佳,只能以低價(jià)格搶訂單,嚴(yán)重影響獲利。(4)公司須投入大量資金于建廠及研發(fā)。
3.主要機(jī)會(huì)(O)。(1)中國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)快速,芯片需求巨大,有利于中國(guó)芯片制造業(yè)發(fā)展。(2)政府提供減稅優(yōu)惠措施及資金支持。
4.主要威脅(T)。(1)芯片制造為成熟產(chǎn)業(yè),產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈。(2)中國(guó)芯片代工業(yè)發(fā)展較晚,關(guān)鍵技術(shù)掌握在全球芯片制造業(yè)巨頭手中。
三、中國(guó)芯片代工業(yè)戰(zhàn)略選擇
1.繼續(xù)降低成本的活動(dòng)。為了獲得低成本的優(yōu)勢(shì),公司可以通過(guò)許多途徑來(lái)降低單位成本,如從促使供應(yīng)商提供更優(yōu)惠的價(jià)格,使用更低廉的零部件,提高機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率,利用管理手段提高產(chǎn)量等。
2.加速創(chuàng)新。芯片代工產(chǎn)業(yè)未來(lái)仍是大者恒大的趨勢(shì),創(chuàng)新,研發(fā)的投入仍是未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)弱的指標(biāo),這里所謂創(chuàng)新不單是指產(chǎn)品創(chuàng)新及技術(shù)創(chuàng)新,以目前全球芯片代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)之激烈及中國(guó)在技術(shù)上仍處于落后之位置的情況下,中國(guó)芯片代工業(yè)更必須從其他方面如商業(yè)模式或價(jià)值鏈創(chuàng)新來(lái)獲得其生存發(fā)展,如目前芯片代工業(yè)老大-臺(tái)積電在二十年前由張忠謀以新的“專(zhuān)業(yè)芯片代工”模式開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)藍(lán)海產(chǎn)業(yè),“張忠謀一手創(chuàng)造了兩個(gè)全新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),無(wú)自有品牌的半導(dǎo)體制造工業(yè)和無(wú)制造芯片業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)”。哈佛大學(xué)商學(xué)院的邁克爾?波特在1998年如此評(píng)價(jià)張忠謀和臺(tái)積電,以及英代爾決定從記憶體制造的紅海,轉(zhuǎn)向CPU制造的藍(lán)海,都說(shuō)明了中國(guó)芯片代工業(yè)與其他原有的競(jìng)爭(zhēng)激烈的芯片代工產(chǎn)業(yè)中沉浮,若能創(chuàng)新其他發(fā)展模式,也許是一條較好的中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展道路。
3.戰(zhàn)略聯(lián)盟或兼并。公司為建戰(zhàn)略聯(lián)盟最為常見(jiàn)的原因就是進(jìn)行技術(shù)合作或合作開(kāi)發(fā)有前途的新產(chǎn)品,填補(bǔ)它們?cè)诩夹g(shù)和制造技能方面的缺口,共同培養(yǎng)新的能力,提高供應(yīng)鏈的效率,獲得生產(chǎn)和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)方面的規(guī)模經(jīng)濟(jì)。兼并是使所有權(quán)聯(lián)系比合作伙伴關(guān)系更持久,經(jīng)營(yíng)活動(dòng)之間更加密切聯(lián)系,形成更多的內(nèi)在控制與自。
在中國(guó)芯片代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力尚不足同國(guó)際巨頭抗衡時(shí),必須先藉由政府政策及資金支持的優(yōu)勢(shì),同國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)建立戰(zhàn)略聯(lián)盟并購(gòu)或兼并方式求得生存,進(jìn)一步藉由利益共享方式在市場(chǎng)分額,技術(shù)上產(chǎn)品上形成互補(bǔ)互利的聯(lián)盟或集團(tuán),慢慢打造本身的核心競(jìng)爭(zhēng)力以求未來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。
參考文獻(xiàn)
富士通公司(Fujitsu Ltd)露出了徹底斬?cái)嗥煜滦酒瑯I(yè)務(wù)的端倪。
1月21日，富士通表示，不久將剝離其大規(guī)模集成電路芯片業(yè)務(wù)，擬于今年3月成立一家子公司，然后將東京的芯片研發(fā)和其他業(yè)務(wù)裝進(jìn)去，并轉(zhuǎn)移到日本中部三重縣的工廠。富士通估計(jì)這項(xiàng)計(jì)劃將耗資100億日元，相關(guān)工作將于今年9月份完成。而在分析師看來(lái)，此乃富士通通過(guò)合資或者出售等方式完全剝離芯片業(yè)務(wù)的第一步。
與眾多日本同行的情況一樣，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和高昂的成本也向富士通敲響了警鐘，這也不再是公司的核心業(yè)務(wù)。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在總收入中所占比重在一成左右。雖然該公司也生產(chǎn)包括個(gè)人電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和元器件等硬件產(chǎn)品，但利潤(rùn)主要還是來(lái)自于軟件和咨詢業(yè)務(wù)。
受此消息影響，富士通股票當(dāng)天收盤(pán)下跌1.7％，至714日元。
恐無(wú)人接手
JP摩根(J.P.Moreanl分析師Izumi也表示，富士通的芯片業(yè)務(wù)正面臨虧損，同時(shí)又受到產(chǎn)品價(jià)格下滑問(wèn)題的困擾，進(jìn)而迫使其作出精簡(jiǎn)業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)的嘗試。此前富士通已從IT業(yè)務(wù)中撥出資金注入半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，而管理層認(rèn)為這樣的做法行不通。
富士通的系統(tǒng)芯片用于從數(shù)碼相機(jī)到超型計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品，盡管該業(yè)務(wù)在截至2007年3月份年度銷(xiāo)售額增長(zhǎng)3％達(dá)到4735億日元，該業(yè)務(wù)卻一直受到居高不下的開(kāi)發(fā)成本和價(jià)格下滑的沖擊。富士通高層稱，其芯片業(yè)務(wù)占該公司總銷(xiāo)售額的約10％，在2007年4-9月份期間虧損50億-60億日元。
富士通在一份聲明中說(shuō)，使芯片業(yè)務(wù)獨(dú)立成一個(gè)實(shí)體將有助于加快決策進(jìn)程，并表示將把系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)和測(cè)試業(yè)務(wù)由位于東京的一個(gè)技術(shù)中心遷移，這一過(guò)程需要100億日元。
此舉可能將為其它芯片制造商同富士通開(kāi)展合作鋪平道路。事實(shí)上，兼并潮正在“襲擊”日本芯片廠商，眾廠商急需通過(guò)與其它芯片廠商聯(lián)手，來(lái)分擔(dān)巨額的成本。
但I(xiàn)T咨詢公司J―Star Inc的總裁Yoshihisa Toyosaki指出，由于缺乏有興趣的買(mǎi)家，富士通將在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)獨(dú)資擁有其芯片業(yè)務(wù)部門(mén)。“大家都已有合作的方向，這使得富士通在這場(chǎng)兼并潮中成為了孤家寡人?！彼f(shuō)。
索尼對(duì)芯片業(yè)務(wù)說(shuō)再見(jiàn)
在富士通之前，索尼也剛剛宣布計(jì)劃將其芯片制造業(yè)務(wù)賣(mài)給東芝，以便專(zhuān)注于消費(fèi)電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，提高公司運(yùn)營(yíng)效率。此前，索尼已經(jīng)在考慮外包PS3 Cell處理器的生產(chǎn)。
2007年9月，索尼宣布計(jì)劃以大約1000億日元(8.7億美元的價(jià)格把生產(chǎn)微處理器和其他芯片的工廠賣(mài)給東芝，而最終協(xié)議有望在幾個(gè)月內(nèi)簽署；與此同時(shí)，索尼和東芝還將建立一個(gè)合資公司，利用這些生產(chǎn)線制造系統(tǒng)芯片。
而在今年早些時(shí)候，索尼結(jié)束了與東芝、NEC的開(kāi)發(fā)芯片合作。事實(shí)上，這只是索尼完全放棄芯片制造業(yè)務(wù)的一個(gè)步驟。為了保住利潤(rùn)，索尼徹底與代價(jià)巨大的芯片制造說(shuō)再見(jiàn)只是個(gè)時(shí)間問(wèn)題?？紤]到PS3主機(jī)現(xiàn)在的形勢(shì)不容樂(lè)觀，數(shù)字媒體播放器部門(mén)也在掙扎，索尼可能不再需要自己生產(chǎn)高端甚至主流芯片。
一旦雙方完成買(mǎi)賣(mài)協(xié)議，東芝就可以利用獲得的半導(dǎo)體生產(chǎn)業(yè)務(wù)增加自己的產(chǎn)品實(shí)力，而索尼也可以專(zhuān)心制造更具競(jìng)爭(zhēng)性的消費(fèi)電子產(chǎn)品，同時(shí)不再依賴自家開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的芯片。
東芝陳前的公司資深副總裁兼東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官ShozoSaito表示，日本芯片產(chǎn)業(yè)可能經(jīng)歷另一次震蕩。他說(shuō)：“廠商可能會(huì)退出，或者出售給其它廠商?！?/p>
新一輪重組正在上演
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于疲軟周期，日本相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入新一輪的重組，其中實(shí)力較弱的廠商可能被淘汰。由于傳統(tǒng)的集成器件制造(IDM)模式仍然面臨壓力，許多日本芯片廠商正在悄悄地轉(zhuǎn)向輕晶圓廠策略，這與美國(guó)和歐洲同業(yè)非常相似。
分析師指出，作為日本發(fā)生的這種巨變的一個(gè)例子，虧損累累的三洋電機(jī)已把自己的芯片部門(mén)出售給了一家私募股權(quán)投資公司。三洋在其網(wǎng)站上拒絕對(duì)這些報(bào)道加以評(píng)論。分析師認(rèn)為，其它二線芯片廠商，如愛(ài)普生、沖電氣(Oki)、夏普，也可能放棄各自的芯片業(yè)務(wù)。
日本廠商的問(wèn)題很清楚：過(guò)度龐大的芯片廠商一般擁有過(guò)多的員工和產(chǎn)品組合，而許多產(chǎn)品都是“沉睡”產(chǎn)品或者是薄利產(chǎn)品。日本的芯片生產(chǎn)商“需要收縮產(chǎn)品組合并集中目標(biāo)”，Saito說(shuō)，“看看這些企業(yè)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)它們的管理與支持部門(mén)規(guī)模太大?！?/p>
日本的許多電子巨頭繼續(xù)擁有驚人的龐大產(chǎn)品組合。它們涉足手機(jī)、顯示器、JC、電視甚至還有核電廠。觀察家們心中有個(gè)疑問(wèn)，這種業(yè)務(wù)范圍廣泛的垂直整合型商業(yè)模式是否已經(jīng)過(guò)時(shí)了。IDMN式確實(shí)在日本面臨極大的壓力。
事實(shí)上，這也是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要趨勢(shì)之一。幾年來(lái)，西門(mén)子、摩托羅拉、惠普、飛利浦等歐美巨頭紛紛剝離了自己的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。其中，私募基金已經(jīng)成為活躍的接盤(pán)者。大型IDM廠商，意法半導(dǎo)體和德州儀器，已經(jīng)轉(zhuǎn)向了輕晶圓廠模式，并與代工廠合作，以降低研發(fā)與生產(chǎn)成本。
但日本的芯片廠商仍然鐘情于IDM模式。許多日本企業(yè)希望把設(shè)計(jì)與制造保持在一家企業(yè)之中。它們也嚴(yán)重依賴自有產(chǎn)品，而這些產(chǎn)品不容易在代工廠商復(fù)制。另外，一般來(lái)說(shuō)，保守的日本企業(yè)總想把自己珍視的生產(chǎn)業(yè)務(wù)留在企業(yè)內(nèi)部。在某種程度上，他們不相信代工企業(yè)。